缪维娜
- 作品数：14 被引量：19H指数：3
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 直流反应磁控溅射法制备新型透明导电氧化物薄膜的研究
- 本文采用直流反应磁控溅射法金属镶嵌靶In／Mo和In／W制备高价态差掺钼氧化铟(In203：Mo，IMO)和掺钨氧化铟(IN203：W，IWO)透明导电薄膜，研究了氧分压、溅射电流、基板温度等制备条件参数对IMO和IWO...
- 缪维娜
- 关键词：导电薄膜磁控溅射法载流子迁移率
- 文献传递
- 渠道火花烧蚀法制备La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜
- 2007年
- 采用新型渠道火花烧蚀技术在LaAlO3(001)基片上生长了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜。X射线衍射对样品结构的分析表明,制备的LSMO薄膜具有c轴取向生长的特点,薄膜与基片间因晶格不匹配而受面内应力挤压,发生弛豫而出现两相。在室温下采用振动样品磁强计测试样品的面内方向磁滞回线,表明制备的LSMO样品具有软磁性,矫顽力Hc=13Oe。通过标准四探针法测量了LSMO薄膜的室温薄膜电阻与外加磁场的关系,得知零场电阻率ρ(0)=19.4 mΩ.cm,室温下4800Oe外场作用下的磁电阻变化率为2.25%,对此用双交换作用机制定性地加以了解释。
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- 关键词：LSMO铁磁性磁阻
- 高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜被引量：14
- 2005年
- 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。
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- 关键词：IN2O3直流磁控溅射法低电阻率可见光区氧分压
- 一种铟钼金属镶嵌靶
- 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钼丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为2.5－3.5mm的小孔，小...
- 张群章壮健李喜峰缪维娜黄丽
- 文献传递
- 渠道火花烧蚀法制备In_(2)O_(3)∶Mo透明导电薄膜被引量：3
- 2005年
- 采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3∶Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响.在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势.薄膜电阻率最小值是4·8×10-4Ω·cm,载流子浓度为7·1×1020cm-3.载流子迁移率最高可达49·6cm2/(V·s).可见光区域平均透射率大于87%以上,由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4·6eV.X射线衍射分析表明,薄膜结晶性良好并在(222)晶面择优取向生长.原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0·72nm,平均粗糙度为0·44nm,峰谷最大差值为15·4nm.
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- 关键词：功函数
- 一种铟钨金属镶嵌靶
- 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜的铟钨金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钨丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为1.0－3.5mm的小孔，小...
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- 文献传递
- 一种高功函数透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法
- 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>:Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金...
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- 文献传递
- 室温直流反应磁控溅射制备透明导电In_2O_3∶Mo薄膜被引量：6
- 2005年
- 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm.
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- 关键词：透明导电氧化物室温
- 新型透明氧化物半导体薄膜In2O3:W的开发研究
- 采用直流磁控溅射法成功制备了掺钨氧化铟(IWO)高价态差透明氧化物半导体薄膜。初步研究表明薄膜结晶取向与薄膜的厚度有关,随着膜厚从60nm增加到290nm,最强衍射峰从(111)晶面转变为(100)晶面;考察了薄膜厚度及...
- 李喜峰张群缪维娜黄丽章壮健华中一
- 关键词：载流子迁移率半导体薄膜直流磁控溅射法光电特性
- 文献传递
- 直流磁控溅射法制备In2O3:Mo透明导电氧化物薄膜
- 高迁移率透明导电氧化物(TCO)薄膜在透明电子学中具有重要的作用,因为它能够保证透明电子器件具有高的运行速度。因此,开展研究具有高迁移率的透明导电氧化物薄膜不仅具有理论意义而且具有应用价值。反应蒸发法制备的掺钼氧化铟In...
- 李喜峰缪维娜张群章壮健华中一
