张群
- 作品数：79 被引量：166H指数：8
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Sb对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的影响被引量：9
- 2004年
- 用直流磁控溅射方法在Si(1 0 0 )面及载玻片上制备了Sb掺杂TiO2 薄膜。利用XRD光谱研究了Sb对其薄膜结晶情况的影响 ,用AFM观察其表面形貌 ,利用分光光度计测量了TiO2 薄膜的光学特性及其对亚甲基蓝的分解活性 ,通过测量和计算表面对水的接触角来衡量光致亲水性。研究结果表明纯TiO2 薄膜为锐钛矿型 ,适量Sb的掺杂能使TiO2 薄膜的结晶有显著改善 ,并出现Ti2 O3 和金红石相TiO2 ,薄膜的光催化活性和光致亲水性明显改善。随着掺杂量的增加 ,TiO2 薄膜的吸收边逐渐红移。但Sb掺杂过量时 ,破坏了二氧化钛原有的晶格结构 。
- 沃松涛沈杰蔡臻炜崔晓莉张群杨锡良章壮健
- 关键词：直流磁控溅射红移光致亲水性晶格结构
- 纳米晶粒Ag-TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性被引量：19
- 2001年
- 以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜 ,在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为 40nm左右 ,粗糙度也为纳米量级。同时在大气及室温条件下 ,在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态 ,作用点的直径约为 70nm。
- 叶钢锋严学俭潘钢张群章壮健华中一
- 关键词：银TCNQ纳米晶粒物理气相沉积
- 非晶氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
- 目前,有源显示技术中普遍使用非晶硅(a-Si:H)和低温多晶硅(LTPS)作为半导体沟道层制备薄膜晶体管(TFTs)。然而面对超高清大屏显示、OLED显示、3D显示、透明显示以及柔性显示等新一代显示技术,传统硅基TFTs...
- 张群
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 本实验利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整;采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层，室温成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试...
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管磁控溅射玻璃基板
- 文献传递
- 常温下纳米TiO_2薄膜的制备及其超亲水性研究被引量：22
- 2002年
- 在室温下采用溶胶法制备锐钛矿型纳米TiO2 薄膜 ,研究不同温度处理后薄膜的超亲水性、光催化能力。结果表明 :在室温下制备、固化的薄膜具有良好的超亲水性、光催化能力和较高的可见光透射率 ,且薄膜厚度均匀。温度低于 2 0 0℃的热处理 ,对薄膜的光致特性基本没有影响 ,而在 4 5 0℃下烘烤 1h后 ,其光催化性能有所下降。
- 任达森崔晓莉张群杨锡良章壮健
- 关键词：纳米TIO2薄膜超亲水性溶胶法晶粒尺寸透射率半导体光催化剂
- 有机纳米整流器的STM研究被引量：3
- 2002年
- 金属有机络合物Ag TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下 ,当电压达到某一阈值后可以从高阻态跃迁至低阻态。在一定的条件下 ,在低阻态的保持时间很短 ,且高低阻态间的转换可以重复。由于它们都是有机材料 ,根据这种特性 ,提出了一种新型有机纳米整流器的设想 ,并成功地制作了输出可控的有机纳米整流器的原型。
- 吉小松严学俭张群王伟军李旭华中一
- 关键词：STM
- 紫外光下纳米TiO_2薄膜亲水性机理的电化学研究被引量：16
- 2004年
- 利用溶胶 凝胶方法在透明导电玻璃ITO (SnO2 ∶In)表面制备纳米TiO2 薄膜 ,XRD谱图表明TiO2 是锐钛矿晶型 ,AFM (Atomic Force Microscope)测得薄膜表面粒子约为 10 0nm .研究了ITO表面纳米TiO2 薄膜的光致亲水性变化 .通过循环伏安技术测定TiO2 薄膜电极在 2 5 3.7nm的紫外光照射后的电化学行为推测光致亲水性机理 .发现在紫外光照射一定时间后 ,TiO2 薄膜电极的循环伏安图在 +0 .0 35V处出现新的氧化峰 ;且随光照时间的增加 ,氧化峰的峰电流增大 ,溶液中的溶解氧对峰电流的大小有明显影响 .实验表明 ,在紫外光照下电极表面有Ti3 + 产生 ,证实了TiO2 薄膜的光致亲水性转变过程与Ti3 +
- 沃松涛崔晓莉张群杨锡良章壮健
- 关键词：二氧化钛薄膜循环伏安紫外光亲水性
- 新型非晶掺钨氧化物半导体薄膜晶体管的开发研究
- 张群
- 渠道火花烧蚀法制备La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜
- 2007年
- 采用新型渠道火花烧蚀技术在LaAlO3(001)基片上生长了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜。X射线衍射对样品结构的分析表明,制备的LSMO薄膜具有c轴取向生长的特点,薄膜与基片间因晶格不匹配而受面内应力挤压,发生弛豫而出现两相。在室温下采用振动样品磁强计测试样品的面内方向磁滞回线,表明制备的LSMO样品具有软磁性,矫顽力Hc=13Oe。通过标准四探针法测量了LSMO薄膜的室温薄膜电阻与外加磁场的关系,得知零场电阻率ρ(0)=19.4 mΩ.cm,室温下4800Oe外场作用下的磁电阻变化率为2.25%,对此用双交换作用机制定性地加以了解释。
- 黄丽张群李喜峰缪维娜章壮健华中一
- 关键词：LSMO铁磁性磁阻
- OLED用三氧化钨缓冲层的研究被引量：2
- 2012年
- 采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.
- 稻秀美林华平杨铭张群
- 关键词：三氧化钨有机电致发光器件缓冲层
