李喜峰
- 作品数：19 被引量：30H指数：3
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 新型透明导电氧化物薄膜的研究
- 本文采用直流磁控反应溅射金属镶嵌靶In//Mo和In//W制备高价态差掺钼氧化铟/(In/_2O/_3：Mo，IMO/)和掺钨氧化铟/(In/_2O/_3：W，IWO/)透明导电薄膜，详细研究了氧分量、溅射电流、沉积温度...
- 李喜峰
- 关键词：直流磁控反应溅射第一性原理
- 文献传递
- 一种高功函数透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法
- 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>:Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金...
- 张群李喜峰章壮健黄丽缪维娜
- 文献传递
- 高迁移率IWO透明导电氧化物薄膜制备及其退火处理研究被引量：11
- 2008年
- 采用直流磁控溅射法在清洁玻璃基片上制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜。研究了氧分压及其退火处理对IWO薄膜光电性能的影响。实验发现薄膜的光电性能对氧分压非常敏感,退火郸理有助于改善IWO薄膜的电阻率。获得了最小电阻率为2.2×10-4Ω.cm,载流子迁移率为63.5 cm2/V.s,可见光范围平均透射率(含基片)为83.2%的IWO薄膜样品。
- 李桂锋张群王颖华李喜峰
- 关键词：退火处理磁控溅射
- 渠道火花烧蚀法制备La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜
- 2007年
- 采用新型渠道火花烧蚀技术在LaAlO3(001)基片上生长了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜。X射线衍射对样品结构的分析表明,制备的LSMO薄膜具有c轴取向生长的特点,薄膜与基片间因晶格不匹配而受面内应力挤压,发生弛豫而出现两相。在室温下采用振动样品磁强计测试样品的面内方向磁滞回线,表明制备的LSMO样品具有软磁性,矫顽力Hc=13Oe。通过标准四探针法测量了LSMO薄膜的室温薄膜电阻与外加磁场的关系,得知零场电阻率ρ(0)=19.4 mΩ.cm,室温下4800Oe外场作用下的磁电阻变化率为2.25%,对此用双交换作用机制定性地加以了解释。
- 黄丽张群李喜峰缪维娜章壮健华中一
- 关键词：LSMO铁磁性磁阻
- 室温直流反应磁控溅射制备透明导电In_2O_3∶Mo薄膜被引量：6
- 2005年
- 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm.
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- 关键词：透明导电氧化物室温
- 新型透明氧化物半导体薄膜In2O3:W的开发研究
- 采用直流磁控溅射法成功制备了掺钨氧化铟(IWO)高价态差透明氧化物半导体薄膜。初步研究表明薄膜结晶取向与薄膜的厚度有关,随着膜厚从60nm增加到290nm,最强衍射峰从(111)晶面转变为(100)晶面;考察了薄膜厚度及...
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- 关键词：载流子迁移率半导体薄膜直流磁控溅射法光电特性
- 文献传递
- 直流磁控溅射法制备In2O3:Mo透明导电氧化物薄膜
- 高迁移率透明导电氧化物(TCO)薄膜在透明电子学中具有重要的作用,因为它能够保证透明电子器件具有高的运行速度。因此,开展研究具有高迁移率的透明导电氧化物薄膜不仅具有理论意义而且具有应用价值。反应蒸发法制备的掺钼氧化铟In...
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- 一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法
- 本发明是一种基板温度为0-30℃下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在0-30℃基板温度下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强...
- 张群李喜峰缪维娜黄丽章壮健
- 文献传递
- 高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜被引量：14
- 2005年
- 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。
- 李喜峰缪维娜张群黄丽章壮健华中一
- 关键词：IN2O3直流磁控溅射法低电阻率可见光区氧分压
- 渠道火花烧蚀法制备p型透明氧化物半导体薄膜
- 渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation,CSA)是利用脉冲电子束轰击烧蚀靶材以制备薄膜的方法。它与熟知的脉冲激光束沉积法(Pulsed Laser Deposition,PLD)类似,所不同的是CS...
- 李喜峰王颖华李桂锋张群黄丽章壮健
- 文献传递
