王振宁
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Ge掺杂对ZnO薄膜结构和光学特性的影响
- 本文通过共溅射技术生长Ge掺杂ZnO薄膜，并分别研究了基片温度与氧偏压对Ge掺杂ZnO薄膜的结构、成分和性能的影响。
一、使用共溅射法沉积Ge掺杂的ZnO薄膜，研究了基片温度对薄膜的结构与成分、表面形貌以及光致...
- 王振宁
- 关键词：ZNO薄膜光电器件压电器件光致发光
- 文献传递
- 磁控共溅射法制备的Zn_2GeO_4多晶薄膜结构及其光致发光研究被引量：3
- 2008年
- 用射频磁控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500—600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550 nm两个峰,应该归因于主体材料ZnGeO中两个不同的Ge2+的发光中心.
- 王振宁江美福宁兆元朱丽
- 关键词：射频磁控溅射荧光体
