江美福
- 作品数：28 被引量：129H指数：6
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信轻工技术与工程一般工业技术更多>>
- 低介电常数薄膜沉积和性质的研究
- 材料是器件的基础,新器件呼唤新材料的产生。随着微电子器件特征线宽的降低,微电子器件材料的变革在进行中,其中很重要的是金属连线/介质的材料结构正由目前使用的Al/SiO2体系逐步向Cu/SiO2体系,进而向Cu/低k材料体...
- 宁兆元程珊华叶超辛煜江美福黄松
- 文献传递
- 工科物理实验改革浅谈
- 1998年
- 为了适应２１世纪科学技术更为迅猛发展的需要，加强和完善素质教育，必须不断加强实验、实践教学环节。工科院校特别是已列入“２１１”计划的重点高校，继续加大物理实验教学改革力度，具有重要意义。本文总结了我校基础物理实验室近年来的改革实践，并针对实验室现状，提出了深化改革的一些设想。
- 江美福
- 关键词：工科物理实验教学
- 微波辐射作用于人造棉织物的活性染料印花被引量：1
- 1998年
- 本文提供的有关数据表明，人造棉织物上进行活性染料印花后采用微波辐射处理，可以提高织物的色牢度，色泽可以更鲜艳。结果同时也表明处理效果与染料量有关，染料量少的效果尤其明显。
- 江美福俞镛源
- 关键词：微波辐射活性染料印花人造棉织物
- 人丝织物涂料印花的微波处理被引量：2
- 1999年
- 实验表明，与常规蒸汽焙烘工艺相比，人丝织物涂料印花采用微波辐射处理可提高其摩擦牢度，节能效果显著。
- 江美福俞镛原
- 关键词：微波辐射涂料印花摩擦牢度
- 反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的结构和性能研究
- 本文采用反应磁控溅射法，用纯石墨作靶，添加含氟气体CHF3制备了氟化类金刚石薄膜(F-DLCfilms)。通过Raman光谱确认了薄膜的类金刚石特征，并研究了Raman光谱随制备薄膜时的工艺条件的演变。XRD衍射结果显示...
- 江美福
- 关键词：反应磁控溅射拉曼光谱光学带隙氟化类金刚石薄膜
- 反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究被引量：13
- 2004年
- 采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比以及光学带隙等性能的影响 .结果表明在低功率 (6 0W)、高气压 (2 0Pa)和适当的流量比(Ar CHF3=2∶1 )下利用射频反应磁控溅射法可制备出氟含量高且具有较宽光学带隙和超低介电常数的F
- 江美福宁兆元
- 关键词：氟化类金刚石薄膜红外透射光谱光学带隙
- 大学物理课程思政元素分类
- 2020年
- 依据功能侧重点的不同将“大学物理”课程思政元素分为四类共十个子类。分类有利于充分挖掘并合理分布思政元素。本文以“圆孔衍射”的教学为例介绍如何分类充分挖掘和融合思政元素。
- 吴亮江美福罗晓琴戴永丰
- 关键词：大学物理
- 射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移被引量：55
- 2004年
- 利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜 .通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜 ,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性 .这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光 ,其峰位会随氧流量的减少而发生红移 .
- 李伙全宁兆元程珊华江美福
- 关键词：氧化锌薄膜蓝光发射禁带宽度
- 射频反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜摩擦特性研究被引量：2
- 2010年
- 以高纯石墨做靶,CHF3和Ar气为源气体,采用射频反应磁控溅射法在不同流量比条件下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕仪、拉曼光谱和红外光谱、摩擦磨损测试仪对薄膜的表面形貌、硬度、键结构以及摩擦性能做了具体分析.表面形貌测试结果表明,制备的薄膜整体均匀致密,表现出了良好的减摩性能.当CHF3与Ar气流量比r为1:6时,所得薄膜的摩擦系数减小至0.42,而纳米压痕结果显示,此时薄膜的硬度也最高.拉曼和红外光谱显示,随着r的增加,薄膜中的F浓度呈上升趋势,薄膜中的芳香环比例减小.研究表明,F原子的键入方式是影响F-DLC薄膜摩擦系数的一个重要因素,CF2反对称伸缩振动强度的减弱和CC中适量碳氢氟键的形成都能导致薄膜具有相对较低的摩擦系数.
- 王培君江美福杜记龙戴永丰
- 关键词：射频反应磁控溅射氟化类金刚石薄膜
- 退火温度对用PⅢ方法制备共掺杂p型ZnO薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO:Al薄膜,以NO和O2为源气体(V(O2)/V(O2+NO)=75%),采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)方法对薄膜进行注入得到ZnO:Al:N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,并在N2氛围下对样品进行了不同温度的退火处理.通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了退火温度对ZnO:Al:N薄膜性质的影响.结果表明,退火可以使注入产生的ZnO(N2)3团簇分解,并且使N以替位O的方式存在.当退火温度达到850℃时,ZnO薄膜实现了p型反转,实现p型反转的ZnO:Al:N薄膜载流子浓度可达3.68×1012 cm-3,电阻率为11.2Ω.cm,霍耳迁移率为31.4 cm2.V-1.s-1.
- 杜记龙江美福张树宇王培君辛煜
- 关键词：等离子体浸没离子注入磁控溅射共掺杂
