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宁兆元

作品数:128 被引量:465H指数:14
供职机构:苏州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省高校省级重点实验室开放课题更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 112篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 1篇专利

领域

  • 84篇理学
  • 29篇电子电信
  • 19篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇电气工程
  • 4篇核科学技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 30篇等离子体
  • 18篇非晶
  • 16篇光谱
  • 14篇非晶碳
  • 13篇光学
  • 12篇介电
  • 12篇氟化非晶碳薄...
  • 11篇感应耦合
  • 11篇感应耦合等离...
  • 10篇ECR
  • 8篇溅射
  • 8篇红外
  • 7篇带隙
  • 7篇介电常数
  • 7篇光学带隙
  • 7篇光致
  • 7篇F
  • 6篇氮化
  • 6篇低介电常数
  • 6篇光学性

机构

  • 116篇苏州大学
  • 12篇中国科学院等...
  • 5篇上海交通大学
  • 2篇复旦大学
  • 2篇山东大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇合肥学院
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇南京大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇天津理工大学
  • 1篇国防科技大学
  • 1篇苏州市第三中...

作者

  • 126篇宁兆元
  • 50篇程珊华
  • 42篇叶超
  • 35篇辛煜
  • 13篇沈明荣
  • 12篇甘肇强
  • 12篇葛水兵
  • 12篇任兆杏
  • 10篇黄松
  • 10篇江美福
  • 7篇吴雪梅
  • 7篇陆新华
  • 6篇许圣华
  • 5篇康健
  • 5篇黄峰
  • 5篇金宗明
  • 5篇俞笑竹
  • 5篇狄小莲
  • 5篇姚伟国
  • 5篇诸葛兰剑

传媒

  • 35篇物理学报
  • 18篇功能材料
  • 15篇苏州大学学报...
  • 7篇功能材料与器...
  • 6篇真空科学与技...
  • 4篇微细加工技术
  • 2篇材料科学与工...
  • 2篇科学通报
  • 2篇物理
  • 2篇真空
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇材料科学与工...
  • 2篇中国真空学会...
  • 1篇功能高分子学...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇物理学进展
  • 1篇光学学报
  • 1篇国防科技大学...
  • 1篇核聚变与等离...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 5篇2006
  • 8篇2005
  • 23篇2004
  • 6篇2003
  • 13篇2002
  • 12篇2001
  • 8篇2000
  • 2篇1999
  • 4篇1998
  • 9篇1997
  • 9篇1996
  • 5篇1995
  • 6篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
128 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
蒸发舟温度与加热电流关系的研究
1996年
本文通过实验研究了蒸发舟温度与加热电流的关系,并对结果作了分析。
葛水兵程珊华宁兆元
超低介电常数材料和多孔SiOCH薄膜被引量:5
2004年
集成电路的特征尺寸将降低到 0 .1μm ,这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗已经成为限制器件性能的主要因素。目前集成电路的金属连线 /介质层材料为铝 /二氧化硅配置 ,用电阻更小的铜取代铝作金属连线 ,用低介电常数 (低K)材料取代二氧化硅作介质层成为科学意义重要、应用价值巨大的研究课题 ,微电子器件正经历着一场材料的重大变革中。本文着重评述了纳米尺度微电子器件对低介电常数 (低k)薄膜材料的要求 ,介绍了多孔硅基低k薄膜的研究进展。
宁兆元叶超
关键词:低介电常数微电子器件特征尺寸串扰多孔二氧化硅
聚乙烯醇和海藻酸钠膜的接触角与表面电阻率关联性的研究
1997年
利用直流辉光氧等离子体对聚乙烯醇、海藻酸钠等有机高分子膜作表面改性处理,其亲水性和电阻等性能有了很大改变。发现膜与水的接触角和表面电阻率这两种性能经等离子体处理后呈现类同的变化规律。
程珊华宁兆元葛水兵徐冬梅张可达徐冬梅
关键词:等离子体表面改性聚乙烯醇
对电子束蒸发沉积的ZnO:Al膜电学性能的研究被引量:2
1998年
使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及XRD、SEM测试分析,详细研究了沉积时的基片温度对膜的电学性能的影响。结果表明:基片温度影响膜的载流子浓度、迁移率以及膜的结晶程度,在基片温度为200℃附近沉积的膜具有较低的电阻率和较高的透光率。
葛水兵程珊华宁兆元
关键词:氧化锌电学性能
基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响被引量:1
2000年
用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测试 考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响 ,并结合Raman谱探索α C
马春兰程珊华宁兆元
关键词:非晶碳膜基片温度电学特性
偏压对多弧离子镀TiN膜层的影响被引量:16
1997年
主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏压下钛滴趋于细化。划痕试验表明:在150~200V偏压下膜层的临界载荷最佳。
辛煜范叔平宁兆元杨礼富薛青金宗明
关键词:多弧离子镀喷镀氮化钛离子镀偏压
流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响被引量:3
2003年
使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a-C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a-C:F薄膜中含有更高的C-F键成分。可见在a-C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3+C6H6)流量比是重要的控制参量。
杜伟程珊华宁兆元叶超辛煜黄松
关键词:化学气相沉积氟化非晶碳薄膜发射光谱
13.56MHz低频功率对60MHz射频容性耦合等离子体的电特性的影响
2008年
使用补偿朗缪尔探针诊断技术,研究了60 MHz/13.56 MHz双频激发容性耦合等离子体的空间电子行为,得到了电子能量概率函数(EEPF)随径向位置和低频输入功率的演变行为.实验结果表明,13.56 MHz射频输入功率的变化主要影响低能电子的布居,其影响随气压升高而加大.在等离子体放电中心以外,EEPF呈现出双峰分布的特性,同时发现从放电中心到极板边缘,次能峰有逐渐向高能区漂移的现象,次能峰的出现显示了中能电子的增强的加热效应.通过EEPF方法,计算了等离子体的电子温度、电子密度.讨论了等离子体中的电子加热机理.
袁强华辛煜黄晓江孙恺宁兆元
永磁磁镜场的获得被引量:4
1994年
从实验上探讨了获得永磁磁镜场的途径,以及自由调节磁场形态、改变镜比的方法。
叶超宁兆元甘肇强
关键词:永磁体磁镜场
微波电子回旋共振等离子体金属内壁镀膜装置及其实验研究
1995年
史义才郭射宇任兆杏宁兆元
关键词:等离子体ECRPECVD
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