程珊华
- 作品数：53 被引量：286H指数：12
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）江苏省薄膜材料重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省高校省级重点实验室开放课题更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 对电子束蒸发沉积的ZnO:Al膜电学性能的研究被引量：2
- 1998年
- 使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及XRD、SEM测试分析,详细研究了沉积时的基片温度对膜的电学性能的影响。结果表明:基片温度影响膜的载流子浓度、迁移率以及膜的结晶程度,在基片温度为200℃附近沉积的膜具有较低的电阻率和较高的透光率。
- 葛水兵程珊华宁兆元
- 关键词：氧化锌铝电学性能
- 基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响被引量：1
- 2000年
- 用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测试 考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响 ,并结合Raman谱探索α C
- 马春兰程珊华宁兆元
- 关键词：非晶碳膜基片温度电学特性
- 流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响被引量：3
- 2003年
- 使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a-C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a-C:F薄膜中含有更高的C-F键成分。可见在a-C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3+C6H6)流量比是重要的控制参量。
- 杜伟程珊华宁兆元叶超辛煜黄松
- 关键词：化学气相沉积氟化非晶碳薄膜发射光谱
- 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CF_x薄膜的化学键结构被引量：18
- 2001年
- 使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳 氟、碳 氢基团随放电宏观参量的变化规律 ,对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析 ,证实等离子体中的CF2 ,CF和CH基团是控制薄膜生长、碳
- 宁兆元程珊华叶超
- 关键词：氟化非晶碳薄膜沉积速率
- 不同沉积气体对多弧法制备TiC膜的影响被引量：7
- 2000年
- 采用两种不同的沉积气体CH4 和C2 H2 分别在SUS3 0 4不锈钢基片上用多弧离子法沉积TiC硬质膜。XPS结果表明 ,用C2 H2 作为沉积气体制备TiC膜中的sp2 杂化的碳多于用CH4 作为沉积气体制备的TiC膜。XRD表明 ,用CH4 气体沉积TiC膜的 ( 111)峰为择优取向 ,但用C2 H2 气体沉积的TiC膜却朝着 ( 111)和 ( 2 2 0 )取向竞争生长。TiC薄膜的高硬度某种程度上取决于TiC( 2 2 0 )峰的丰度。
- 辛煜程珊华宁兆元沈明荣许杞安
- CHF_3/C_6H_6等离子体中的基团分析
- 2003年
- 在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了CHF3、C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速率和键结构之间的关联。结果表明,提高微波功率会增加CHx、CFx等成膜基团的密度,有利于加大沉积速率;而增加CHF3的进气量则会加大F原子基团的密度,这是由于它控制了薄膜的氟化程度。
- 程珊华宁兆元李戈扬叶超杜伟辛煜
- 关键词：氟化非晶碳薄膜发射光谱CHF3C6H6基团
- 沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响被引量：5
- 2000年
- 用苯作为源气体 ,使用微波电子回旋共振 (ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含氢非晶碳薄膜 ,研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响 ,发现它们与沉积速率密切相关 .测量了薄膜的含氢量与Raman谱 。
- 程珊华宁兆元康健马春兰叶超
- 关键词：直流电阻沉积温度电学性质
- α-C∶F薄膜的键合结构与电子极化研究被引量：1
- 2001年
- 利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术 ,通过改变微波输入功率的方法 ,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳 (α C∶F)薄膜。随着微波功率从 14 0W升高到 5 6 0W ,薄膜的光频介电常数从 2 .2 6降至 1.6 8,红外光谱 (FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与CF2 基团共存。由于CF2 基团的极化比CF基团弱 ,薄膜中CF2
- 叶超康健宁兆元程珊华陆新华项苏留辛煜方亮
- 掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响被引量：6
- 2000年
- 用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。
- 葛水兵程珊华宁兆元沈明荣甘肇强周咏东褚君浩
- 关键词：脉冲激光沉积透明导电膜
- ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究被引量：28
- 2000年
- 利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :掺杂比从0 .75%增至 1 .5%过程中 ,膜的载流子浓度、透光率 (在波长大于 50 0 nm的范围 )和光隙能相应增大。在氧分压强为 0 Pa(不充氧 )、掺杂比为 1 .5%左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 1 0 -4 Ω cm,且在可见光区其透光率超过了 90 %。
- 葛水兵程珊华宁兆元
- 关键词：脉冲激光沉积铝掺杂透明导电膜
