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洪辛

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇电气工程

主题

  • 9篇功率器件
  • 9篇安全工作区
  • 9篇半导体
  • 9篇半导体功率器...
  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 8篇功率变换
  • 8篇功率变换器
  • 8篇功率集成
  • 8篇功率集成电路
  • 8篇变换器
  • 6篇主开关
  • 6篇开关
  • 4篇电压钳
  • 4篇横向功率器件
  • 2篇金属阳极
  • 1篇电机
  • 1篇电机试验
  • 1篇电压
  • 1篇载流子

机构

  • 11篇电子科技大学
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 11篇洪辛
  • 10篇张波
  • 10篇李泽宏
  • 9篇胡涛
  • 9篇邓光平
  • 9篇钱振华
  • 1篇钱梦亮
  • 1篇王欣
  • 1篇谢刚

传媒

  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇中国电器工业...

年份

  • 2篇2012
  • 7篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率VDMOS电机可靠性试验及失效分析
本文阐述了一种电机用功率VDMOS器件的可靠性试验方案和试验过程。对不同驱动电压下VDMOS器件所能承受的最大供电电压进行了测试，分别在轻、重负载下对器件进行不同驱动电压的电机刹车试验。对自主研制的1010以及LP757...
王欣洪辛谢刚廖忠平李泽宏
关键词：电机试验驱动电压供电电压
文献传递
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极(或共用金属阳极)结构，其中所述S...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
文献传递
一种积累层沟道TIGBT的特性其正向压降模型的建立
本文分析了一种具有积累层沟道的TIGBT结构，它具有更低的正向导通压降，更大的闩锁电流密度和更宽正向安全工作区(FBSOA)。文章对其工作机理及相关特性进行了阐述及仿真分析，并根据其载流子浓度分布和电流连续性方程建立了具...
洪辛钱梦亮李泽宏张波
关键词：绝缘栅双极晶体管载流子浓度
文献传递
一种Super Junction VDMOS器件
一种Super Junction VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件基础上，引入沟槽式肖特基接触结构：即将多晶硅栅电极在N型柱区上方分...
李泽宏胡涛邓光平钱振华洪辛张波
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具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
文献传递
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
文献传递
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构，其中所述SensorFET器...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极(或共用金属阳极)结构，其中所述S...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
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