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钱振华

作品数：12 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 11篇功率器件
  • 11篇半导体
  • 11篇半导体功率器...
  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 8篇功率变换
  • 8篇功率变换器
  • 8篇功率集成
  • 8篇功率集成电路
  • 8篇安全工作区
  • 8篇变换器
  • 6篇主开关
  • 6篇开关
  • 4篇电压钳
  • 4篇横向功率器件
  • 2篇低压CMOS
  • 2篇移植性
  • 2篇三极管
  • 2篇金属阳极
  • 2篇晶体三极管

机构

  • 12篇电子科技大学

作者

  • 12篇李泽宏
  • 12篇钱振华
  • 11篇张波
  • 10篇邓光平
  • 9篇胡涛
  • 9篇洪辛
  • 2篇肖璇
  • 2篇姜贯军
  • 2篇任敏
  • 2篇张超
  • 2篇谢加雄
  • 2篇张帅
  • 2篇李婷
  • 2篇余士江

传媒

  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 3篇2012
  • 9篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极(或共用金属阳极)结构，其中所述S...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
文献传递
一种Super Junction VDMOS器件
一种Super Junction VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件基础上，引入沟槽式肖特基接触结构：即将多晶硅栅电极在N型柱区上方分...
李泽宏胡涛邓光平钱振华洪辛张波
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具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
文献传递
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构，其中所述SensorFET器...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
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具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
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一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构，其中所述SensorFET器...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
一种高压BCD半导体器件的制造方法
一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形...
李泽宏谢加雄余士江姜贯军张帅钱振华李婷张超任敏肖璇张波
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具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
一种高压BCD半导体器件的制造方法
一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形...
李泽宏谢加雄余士江姜贯军张帅钱振华李婷张超任敏肖璇张波
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极(或共用金属阳极)结构，其中所述S...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
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