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胡涛

作品数：27 被引量：17H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程兵器科学与技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 10篇学位论文
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 5篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 12篇半导体
  • 9篇功率器件
  • 9篇半导体功率器...
  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 8篇功率变换
  • 8篇功率变换器
  • 8篇功率集成
  • 8篇功率集成电路
  • 8篇安全工作区
  • 8篇变换器
  • 6篇主开关
  • 6篇开关
  • 4篇电压钳
  • 4篇横向功率器件
  • 3篇故障诊断
  • 3篇粗糙集
  • 3篇粗糙集理论
  • 2篇低压CMOS
  • 2篇电源

机构

  • 27篇电子科技大学
  • 1篇华容电子集团

作者

  • 27篇胡涛
  • 13篇张波
  • 13篇李泽宏
  • 9篇邓光平
  • 9篇钱振华
  • 9篇洪辛
  • 2篇肖璇
  • 2篇姜贯军
  • 2篇任敏
  • 2篇张超
  • 2篇谢加雄
  • 2篇张帅
  • 2篇李婷
  • 2篇吕炳朝
  • 2篇余士江
  • 1篇陈光禹
  • 1篇袁德明
  • 1篇王守绪
  • 1篇杨邦朝
  • 1篇马俊

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第三届全球智...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇全国第六届电...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 1篇1989
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低压铝箔腐蚀的碱洗工艺被引量：2
1997年
对国产高纯Ａｌ箔在电化学腐蚀扩面前进行碱洗是必要的。采用恰当的碱洗工艺，可以提高腐蚀Ａｌ箔的静电比容约１０％。
王守绪胡涛杨邦朝袁德明
关键词：铝电解电容器铝箔碱洗电化学腐蚀
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构，其中所述SensorFET器...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
文献传递
具有复合耐压层的深槽型DMOS设计
本文的主要工作是讨论如何实现一个具有复合耐压层结构的DMOS器件。工作包括器件结构选取、工艺流程设计、版图实现、流片及后续工作等。我们在综合考虑各种复合耐压层实现方式的优劣以及合作方工艺线的生产能力和工艺特点之后，选取了...
马俊胡涛李泽宏张波
关键词：金属氧化物半导体
文献传递
服务器振动分析及抗振设计
服务器作为网络上一种为客户端计算机提供各种服务的高可用性计算机，稳定性是评判其综合性能的一个重要因素，而振动性能是衡量电子设备可靠性主要指标之一。因此，服务器的振动特性分析及抗振动设计是服务器设计过程中的重要环节。　　本...
胡涛
关键词：服务器抗振设计稳定性能
文献传递
高速准最优专家智能控制器
胡涛
GPS载体姿态测量研究
该文的研究课题来源于军事电子预研项目:'GPS姿态测量技术'.为了达到研究出一种具有实用性的GPS姿态测量算法的目标,作者从GPS系统的构成入手,给出了构成最佳星座的四颗GPS卫星的选择方法:进行了GPS观测信号(伪距和...
胡涛
关键词：GPS载波相位整周模糊度基线最小二乘估计
文献传递
面向动力仿生腿的统一步态控制方法
仿生腿的辅助作用对于恢复下肢截肢者的运动功能至关重要。与被动式仿生腿相比，动力仿生腿可以主动提供能量减少截肢者的消耗，并且提升截肢者运动的稳定性。常见的控制策略会根据截肢者不同的运动状态将其运动过程划分为不同阶段分别进行...
胡涛
关键词：动力学
文献传递
面向保密型企业的指纹识别考勤管理系统的设计与实现
对于一些涉及军工和保密技术的生产研发企业也就是保密型企业，不仅要关心员工的出勤率，更要保证每天到达工作岗位的只能是内部工作人员。所以保密型企业的考勤管理系统最好采用指纹识别这一方式，以确保其唯一性。论文利用嵌入式处理器A...
胡涛
关键词：考勤管理指纹识别处理器
T<,k>90℃共沉掺锑钛酸锶钡粉体的研究
胡涛
关键词：掺锑
一种Super Junction VDMOS器件
一种Super Junction VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件基础上，引入沟槽式肖特基接触结构：即将多晶硅栅电极在N型柱区上方分...
李泽宏胡涛邓光平钱振华洪辛张波
文献传递
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