殷景华
- 作品数：146 被引量：221H指数：6
- 供职机构：哈尔滨理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 纳米杂化PI薄膜击穿孔区形貌及元素分布被引量：3
- 2006年
- 无机纳米杂化聚酰亚胺（PI）薄膜具有优良的耐电晕特性，通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用，利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌，能谱仪测试孔区附近元素分布．研究表明：杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10～50μm范围内，随半径增加，其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平，逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态；Cu含量逐渐减少，Au含量逐渐增加，正常区域电极表面没有损伤；氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用，薄膜击穿机理属热击穿类型．
- 殷景华范勇王暄林家齐雷清泉
- 关键词：微结构
- 老化试验对湿敏陶瓷元件湿-阻特性的影响
- 1993年
- 对新型湿敏陶瓷元件 MgCr_O_4-Bi_2O_3的研究表明,它具有阻值变化范围大,响应快,温滞小,不需加热清洗等特点.同时进行了多种老化方法对 MgCr_2O_4-Bi_2O_3湿-阻特性的影响的试验研究.获得较为理想结果.
- 殷景华陈广文彭丽
- 关键词：电阻
- 具有准尖晶石结构的湿敏陶瓷阻湿特性的数值分析
- 1997年
- 用已建立的理论模型和方程，对三种具有准尖晶石结构的陶瓷湿敏元件的阻湿特性作了数值分析结果表明。
- 殷景华黄金哲陈广文
- 关键词：湿敏陶瓷
- 硝酸处理对MgCr_2O_4-Bi_2O_3陶瓷湿敏元件性能的影响
- 1994年
- 报道了硝酸老化处理方法对MgCr_2O_4—Bi_2O_3陶瓷湿敏元件的结构和性能的影响。实验结果表明,硝酸老化处理不仅是一种可行的造孔方法,而且对元件的力学和电学性能有重要影响。用浓度适宜的硝酸处理后,会得到性能较好的元件。
- 陈广文殷景华彭丽
- 关键词：陶瓷湿敏元件硝酸
- Ta<,2>O<,5>/MnO<,2>复合湿敏薄膜制备工艺研究
- 采用钽片阳极氧化和硝酸锰热分解方法,制备Ta<,2>O<,5>/MnO<,2>复合薄膜,研究了电解液种类、浓度(质量分数)、电压对Ta<,2>O<,5>/MnO<,2>复合薄膜绝缘性能的影响.
- 殷景华桂太龙李伟东段智勇
- 关键词：阳极氧化
- 文献传递
- PI/α-Al_2O_3和PI/SiO_2表面结合能的分子模拟被引量：6
- 2006年
- 利用M ateria ls S tud io 3.0分别模拟了聚酰亚胺(P I)/-αA l2O3和聚酰亚胺(P I)/S iO2材料体系的表面结合能,结果表明,在(012)晶面,6.0 nm×4.0 nm范围内,随着纳米颗粒超晶格尺寸增大,P I/-αA l2O3结合能增加,P I/S iO2体系结合能变小;悬挂在-αA l2O3和S iO2(012)晶面上的H原子对体系总能量及结合能有明显影响,-αA l2O3和S iO2纳米颗粒掺杂主要通过分子间作用力与P I相复合。
- 殷景华杨红军梅金硕雷清泉
- 关键词：分子模拟结合能Α-氧化铝氧化硅
- Ka波段分布式MEMS移相器低驱动电平容性开关的机电设计被引量：1
- 2007年
- 为降低Ka波段分布式MEMS移相器容性开关的驱动电压,提出不同形状新型低弹性系数铰链梁结构MEMS电容开关的机电设计概念.采用Intelli SuiteTM和ADS软件分析了三种梁结构MEMS电容开关的位移分布、驱动电压、机械振动模式和射频性能等参数,结果表明:所设计新型beam2结构MEMS电容开关具有优越的机电特性和射频特性,即开关的驱动电压为3V,机械振动模式固有频率都大于31kHz,在35GHz处插入损耗和回波损耗分别为0.082dB和18.6dB,而相移量可达到105.9o.
- 贺训军吴群金博识宋明歆殷景华
- 关键词：MEMS移相器电容开关低驱动电压机电特性射频特性
- 基体硬度对氮化钛沉积表面复合硬度的影响被引量：1
- 1991年
- 本文研究了基体硬度、沉积氮化钛薄膜硬度和薄膜厚度对表面硬度的影响,通过不同的氮化钛沉积工艺,建立基体硬度、薄膜硬度、薄膜厚度与氮化钛沉积表面复合硬度之间的关系.
- 殷景华刘尔嘉吕利泰
- 关键词：TIN镀膜
- 集成电路设计课程建设与学生创新能力培养的探索
- 随着信息技术的发展，集成电路企业对相关人才的要求越来越高。为培养应用型集成电路设计人才，高校应从集成电路设计课程建设与学生创新能力培养两方面出发，对集成电路设计课程中的应用进行相应分析，以提高工程实践能力为改革目的，提出...
- 宋明歆卢鑫沈涛刘倩殷景华曹一江
- 关键词：教学体系
- 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管
- 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，其组成包括：玻璃基板...
- 赵洪王东兴殷景华王喧桂太龙宋明歆
- 文献传递
