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杨全魁

作品数：13 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇量子级联
  • 7篇激光
  • 7篇激光器
  • 6篇量子级联激光...
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇施主
  • 2篇施主掺杂
  • 2篇气态源分子束...
  • 2篇阈值电流
  • 2篇阈值电流密度
  • 2篇激光器材料
  • 2篇含磷
  • 2篇含砷
  • 2篇半导体
  • 2篇MBE生长
  • 1篇单电源
  • 1篇低电压
  • 1篇电压
  • 1篇氧化镓

机构

  • 10篇中国科学院
  • 4篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 13篇杨全魁
  • 4篇李爱珍
  • 4篇李爱珍
  • 4篇李存才
  • 4篇郑燕兰
  • 4篇张永刚
  • 4篇林春
  • 4篇李爱珍
  • 3篇胡建
  • 3篇徐刚毅
  • 3篇陈建新
  • 2篇陈建新
  • 2篇陈建新
  • 2篇李华
  • 1篇简贵胄
  • 1篇陈晓杰
  • 1篇钟金权
  • 1篇南矿军
  • 1篇陈俊
  • 1篇王润梅

传媒

  • 5篇第五届全国分...
  • 3篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 6篇1999
  • 1篇1998
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
中红外量子级联与量子阱激光器材料、器件与物理研究
李爱珍王占国刘峰奇陈建新张永刚杨全魁张永照郑燕兰林春张权生江德生徐刚毅毕文刚南矿军
该项目深入研究了基于导带内电子在子能级间跃迁的单极激光器（QCL）的基本理论，创新性的首次将窄禁带半导体的载流子色散理论，应变微扰，能量过滤器和严格的分波理论应用于量子级联激光器的设计，发展了有特色的缓冲层、波导层、应变...
关键词：
关键词：量子级联激光器量子阱激光器
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍陈建新李华徐刚毅张永刚林春杨全魁李存才胡建
文献传递
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍陈建新李华徐刚毅张永刚林春杨全魁李存才胡建
文献传递
单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器
2000年
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。
刘训春陈俊王润梅王惟林李无瑕李爱珍陈建新陈意桥陈晓杰杨全魁
关键词：单电源PHEMT
分子束外延3～5族锑化物激光器、探测器材料及其应用
李爱珍郑燕兰张永刚林春钟金权胡建李存才简贵胄杨全魁
该成果采用分子束外延生长Ⅲ～Ⅴ族锑化物量子阱、异质结构材料；设计了加宽波导AlGaAsSb/InGaAsSb 多量子阱激光器结构，加宽禁带窗口的AlGaAsSb/InGaAsSb pin探测器结构；提出了MBE激光器、探...
关键词：
关键词：分子束外延
量子级联激光器有源区中的电子子能级
杨全魁李爱珍
关键词：量子级联激光器
文献传递
RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究
1999年
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明，Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。
李伟赵智彪郑燕兰李存才杨全魁胡建齐鸣李爱珍
关键词：PL谱氧化镓
优质AlGaAsSb材料的MBE生长与特性
郑燕兰李爱珍林春杨全魁李存才胡建
关键词：MBE生长
InP基OEIC单元及其集成接收机结构材料的GSMBE一次生长
陈建新李爱珍杨全魁任尧成
关键词：INPGSMBE生长
中远红外波段量子级联和多量子阱半导体激光器结构
李爱珍陈建新杨全魁
关键词：量子阱半导体激光器
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