郑燕兰
- 作品数：38 被引量：28H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学金属学及工艺更多>>
- 分子束外延Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱
- 1992年
- 报道了(100)半绝缘GaAs衬底和(100)掺Te GaSb衬底上分子束外延法生长的Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱特性,分析解释了引起两种衬底上Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y外延材料红外光谱差异的原因.实验确定了这种材料的带隙和相应波长,与内插法计算的结果进行了比较,发现所有样品的实验值均偏大于理论值,对此进行了理论探讨.
- 毕文刚李爱珍郑燕兰王建新李存才
- 关键词：红外光谱多元合金合金
- 新一代中红外半导体激光器材料、器件应用基础研究
- 李爱珍刘峰奇张永刚徐刚毅王占国郑燕兰张权生杨权魁林春江德生张永照张雄李华南矿军李成明李存才胡建
- 该项目包括3-10.5微米中红外波段量子级联激光器和2-2.1微米波段中红外锑化物多量子讲激光器材料、器件、表征及其物理的应用基础研究。量子级联激光器的工作原理是基于电子在导带内子能级间跃迁的单极型激光器。它的特点是只有...
- 关键词：
- 关键词：中红外波段分子束外延
- 波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制被引量：1
- 2008年
- 采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。
- 张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰
- 关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延
- AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱被引量：2
- 2000年
- 用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。
- 郑燕兰李爱珍林春李存才胡建
- 关键词：激光器光致发光谱
- 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液
- 本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液。它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水；氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液...
- 李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
- 文献传递
- 碳掺杂GaAs的MBE生长被引量：1
- 1997年
- 本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层。获得了空穴浓度从４×１０１４ｃｍ－３到２×１０１９ｃｍ－３的ＧａＡｓ材料。用霍尔效应测量仪、电化学ＣＶ剖面仪和Ｘ射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Ｎｏｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜分析了ＧａＡｓ的生长过程。结果表明碳是ＧａＡｓＩＩＶ族化合物半导体的极好的ｐ型掺杂剂。
- 罗宇浩李爱珍李存才郑燕兰
- 关键词：砷化镓MBE
- 直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法
- 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷...
- 李爱珍郑燕兰李华胡雨生张永刚茹国平陈正秀
- 文献传递
- CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器
- 2005年
- 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
- 刘延祥唐绍裘夏冠群程宗权郑燕兰
- 关键词：GAINASSB钝化
- (NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响
- 本文研究了(NH<,4>)<,2>S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH<,4>)<,2>S钝化方法,器件的暗电流密度在0.5V的偏压下降了一个数量级.
- 张雄李爱珍林春郑燕兰许刚毅
- 关键词：探测器暗电流钝化处理
- 文献传递
- AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱
- 用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数，如多量子阱中AlGaAsSb/InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb/InG...
- 郑燕兰李爱珍
- 关键词：激光器
- 文献传递
