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李爱珍

作品数：56 被引量：79H指数：5
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 45篇电子电信
  • 11篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇半导体
  • 12篇分子束
  • 12篇分子束外延
  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 8篇光电
  • 8篇光谱
  • 7篇MBE
  • 7篇GAAS
  • 6篇氮化镓
  • 6篇异质结
  • 6篇探测器
  • 6篇红外
  • 6篇MBE生长
  • 5篇晶体管
  • 5篇光电探测
  • 5篇光电探测器
  • 4篇砷化镓
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇量子阱激光器

机构

  • 55篇中国科学院上...
  • 8篇中国科学院
  • 3篇西安交通大学
  • 3篇中国科学院上...
  • 2篇复旦大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇宁波师范学院

作者

  • 56篇李爱珍
  • 13篇陈建新
  • 13篇张永刚
  • 13篇齐鸣
  • 12篇郑燕兰
  • 8篇林春
  • 4篇任尧成
  • 4篇杨全魁
  • 3篇陈光德
  • 3篇简贵胄
  • 3篇王建新
  • 3篇胡福义
  • 3篇方祖捷
  • 3篇赵文琴
  • 3篇陈高庭
  • 3篇柏劲松
  • 2篇孙一军
  • 2篇刘家洲
  • 2篇陈晓杰
  • 2篇金世荣

传媒

  • 17篇功能材料与器...
  • 8篇物理学报
  • 7篇半导体光电
  • 6篇Journa...
  • 4篇红外与毫米波...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇中国激光
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇电波科学学报

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2002
  • 12篇2001
  • 5篇2000
  • 8篇1999
  • 5篇1998
  • 4篇1997
  • 4篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1993
  • 3篇1992
  • 5篇1991
  • 1篇1989
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究被引量：3
1996年
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解．锑化镓电极在一定电势下生成的氧化腹，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱．通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸、柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀图形得到改善．实验研究了锑化镓的平带电势的测定．
曹阳陆寿蕴李爱珍
关键词：锑化镓表面氧化膜
光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展被引量：5
2001年
对自 2 0世纪 90年代以来在InGaAsPIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述 ,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的新进展 ,同时也介绍了超高速光电探测器封装结构。
刘家洲李爱珍张永刚
关键词：化合物半导体INGAAS
单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器
2000年
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。
刘训春陈俊王润梅王惟林李无瑕李爱珍陈建新陈意桥陈晓杰杨全魁
关键词：单电源PHEMT
GaN基材料的RF等离子体MBE生长与特性
齐鸣李爱珍李伟赵智彪张永刚陈建新
关键词：GAN基材料MBE生长
MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
1993年
本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。
胡雨生胡福义汪乐李爱珍范伟栋
关键词：GAAS/SI材料分子束外延
n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究被引量：1
1996年
本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０^（１６）ｃｍ^（－３）和４×１０^（１６）ｃｍ^（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０^（１６）～１０^（１８）ｃｍ^（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０^（１０）ｃｍＨｚ^（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。
郑燕兰李爱珍王建新茹国平李存才胡建
关键词：INGAASSB锑化物MBE
快响应光电探测器的瞬态特性测量被引量：2
1997年
介绍了快响应光电探测器的发展动态，对其瞬态特性的测量原理和方法进行了综述。
张永刚李爱珍
关键词：光电探测器瞬态特性光通信
赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究
1998年
采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应。
陈张海胡灿明陈建新陈建新史国良沈学础刘普霖
关键词：铟镓砷
量子级联激光器有源区中的电子子能级
杨全魁李爱珍
关键词：量子级联激光器
文献传递
用于光子器件的ZnO薄膜的分子束外延生长(英文)被引量：4
1999年
近年来，由于蓝绿发光二极管和激光二极管的发展，宽禁带ＩＩＩＶ 族氮化物和ＺｎＳｅ 基ＩＩＶＩ族半导体材料成为举世瞩目的研究热点之一。取得这些进展的重要原因是材料质量的不断改善以及创新性的掺杂方法的引入。氧化锌（ＺｎＯ）是具有特殊性质的宽禁带直接带隙ＩＩＶＩ族半导体材料，具有在半导体材料中最高的激子束缚能（６０ｍｅＶ），将是另一种重要的商用光子器件材料。本文将描述高质量氧化锌单晶薄膜的等离子分子束外延生长，重点放在高温ＺｎＯ 受激辐射及激子激光的机理，并在最新的实验发现的基础上，讨论了ＺｎＯ 基材料作为光子材料的应用前景。
朱自强李爱珍
关键词：氧化锌光子器件分子束外延生长半导体
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