张永刚
- 作品数：23 被引量：35H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展被引量：5
- 2001年
- 对自 2 0世纪 90年代以来在InGaAsPIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述 ,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的新进展 ,同时也介绍了超高速光电探测器封装结构。
- 刘家洲李爱珍张永刚
- 关键词：化合物半导体INGAAS
- 单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制
- 1989年
- 本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57％,暗电流在-5V下小于100nA,JFET的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果.
- 张永刚富小妹潘慧珍
- 关键词：OEICINGAASJFET光探测器
- SMA同轴封装高速光电探测器被引量：4
- 1995年
- 采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少了约０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。
- 张永刚程宗权蒋惠英
- 关键词：光电探测器封装光纤通信
- GaN基材料的RF等离子体MBE生长与特性
- 齐鸣李爱珍李伟赵智彪张永刚陈建新
- 关键词：GAN基材料MBE生长
- 快响应光电探测器的瞬态特性测量被引量：2
- 1997年
- 介绍了快响应光电探测器的发展动态，对其瞬态特性的测量原理和方法进行了综述。
- 张永刚李爱珍
- 关键词：光电探测器瞬态特性光通信
- 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
- 本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系。包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水;氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸、和双氧水。这三种腐...
- 李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
- 文献传递
- 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液
- 本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液。它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水；氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液...
- 李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
- 文献传递
- 中红外量子级联激光器的发射光谱测量被引量：3
- 2001年
- 基于FTIR光谱仪建立了中红外半导体激光器发射光谱测量系统 ,并引入双调制技术改善了系统的性能。用此系统对中红外波段量子级联激光器的激射特性进行了测量 ,对有关测量结果进行了分析 。
- 张永刚李爱珍
- 关键词：傅里叶变换红外光谱中红外量子级联激光器化合物半导体
- InAs衬底上液相外延生长InAsPSb的溶体组份、晶格失配及表面形貌
- 1991年
- 对InAs衬底上液相外延生长四元系InAs_(1-x-y)P_xSb_y(x=0.2,y=0.09)材料进行了研究,此材料适合于2.5μm中红外波段的光源及光探测器应用。实验发现InAsPSb/InAs外延片的表面形貌与晶体失配之间有确定的关系,据此可以方便地调节溶体组份以生长高质量的异质结构。对其机理进行了探讨,已生长了InAsPSb pn结并获得满意的载流子剖面分布。
- 张永刚周平陈慧英潘慧珍
- 关键词：INASINASPSB
- LP-MOVPE设备分析
- 1993年
- 本文以三种国外的LP—MOVPE(低压—金属有机物气相外延)设备为例,介绍了LP—MOVPE设备的工作原理,并对设备各个部分的构成及其功能作了详细的分析,在此基础上对三种设备的性能及其特点进行了讨论与比较。
- 张永刚林瑜潘慧珍
- 关键词：半导体材料
