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李存才
作品数:
19
被引量:14
H指数:2
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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合作作者
李爱珍
中国科学院上海微系统与信息技术...
张永刚
中国科学院上海微系统与信息技术...
胡建
中国科学院上海微系统与信息技术...
郑燕兰
中国科学院上海微系统与信息技术...
林春
中国科学院上海微系统与信息技术...
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1999
1篇
1992
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优质AlGaAsSb材料的MBE生长与特性
郑燕兰
李爱珍
林春
杨全魁
李存才
胡建
关键词:
MBE生长
带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究
本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.
李爱珍
李存才
胡建
徐刚毅
张永刚
林春
郑燕兰
李华
李耀耀
魏林
朱诚
关键词:
分子束外延
量子级联激光器
量子阱激光器
文献传递
InP基中远红外量子级联激光器材料与器件
李爱珍
张永刚
徐刚毅
林春
李华
李存才
胡建
胡雨生
张雄
南矿军
何友军
顾溢
朱诚
该课题基于自主发展的12项国家发明专利, 将能带波函数量子工程与气态源分子束外延(GSMBE)单原子层生长相结合,设计了具有自主知识产权的中红外波段磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构; 建立了自主知识的35-100级含4...
关键词:
关键词:
量子级联激光器
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是:(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是:(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍
陈建新
李华
徐刚毅
张永刚
林春
杨全魁
李存才
胡建
文献传递
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是:(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是:(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍
陈建新
李华
徐刚毅
张永刚
林春
杨全魁
李存才
胡建
文献传递
气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
齐鸣
徐安怀
陈晓杰
朱福英
艾立鹍
李爱珍
李存才
胡建
解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术,在InGaP/Ga...
关键词:
关键词:
GSMBE
分子束外延3~5族锑化物激光器、探测器材料及其应用
李爱珍
郑燕兰
张永刚
林春
钟金权
胡建
李存才
简贵胄
杨全魁
该成果采用分子束外延生长Ⅲ~Ⅴ族锑化物量子阱、异质结构材料;设计了加宽波导AlGaAsSb/InGaAsSb 多量子阱激光器结构,加宽禁带窗口的AlGaAsSb/InGaAsSb pin探测器结构;提出了MBE激光器、探...
关键词:
关键词:
分子束外延
磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括:(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法;(2)外延层的组份均匀性的控制;(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主...
李爱珍
林春
李华
李存才
胡建
顾溢
张永刚
徐刚毅
文献传递
分子束外延Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱
1992年
报道了(100)半绝缘GaAs衬底和(100)掺Te GaSb衬底上分子束外延法生长的Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱特性,分析解释了引起两种衬底上Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y外延材料红外光谱差异的原因.实验确定了这种材料的带隙和相应波长,与内插法计算的结果进行了比较,发现所有样品的实验值均偏大于理论值,对此进行了理论探讨.
毕文刚
李爱珍
郑燕兰
王建新
李存才
关键词:
红外光谱
多元合金
合金
高速光电探测器
张永刚
李爱珍
刘天东
刘家洲
郝国强
顾溢
李存才
胡建
经5年来的不断努力,该课题的预定目标均已达到,并扩展了相关研究内容,在波长扩展探测器等方面取得了突破,全面超指标完成了预定计划。主要工作包括:设计了与LNA结构兼容的高速光电探测器结构,包括与HBT兼容的PIN结构及和H...
关键词:
关键词:
光电探测器
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