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李存才

作品数:19 被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信航空宇航科学技术一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 8篇科技成果
  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇分子束
  • 10篇分子束外延
  • 7篇激光
  • 7篇激光器
  • 6篇气态源分子束...
  • 6篇量子级联
  • 6篇量子级联激光...
  • 5篇红外
  • 4篇施主
  • 4篇施主掺杂
  • 4篇含磷
  • 3篇红外波段
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇GAN
  • 3篇波段
  • 2篇探测器
  • 2篇阈值电流
  • 2篇阈值电流密度
  • 2篇化合物半导体

机构

  • 18篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 19篇李存才
  • 14篇李爱珍
  • 12篇张永刚
  • 11篇胡建
  • 7篇郑燕兰
  • 7篇林春
  • 6篇徐刚毅
  • 6篇李华
  • 5篇顾溢
  • 5篇齐鸣
  • 4篇杨全魁
  • 4篇李爱珍
  • 3篇胡建
  • 3篇林春
  • 3篇陈建新
  • 2篇李耀耀
  • 2篇南矿军
  • 2篇赵智彪
  • 2篇任尧成
  • 2篇郝国强

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2008
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1992
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
优质AlGaAsSb材料的MBE生长与特性
郑燕兰李爱珍林春杨全魁李存才胡建
关键词:MBE生长
带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究
本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.
李爱珍李存才胡建徐刚毅张永刚林春郑燕兰李华李耀耀魏林朱诚
关键词:分子束外延量子级联激光器量子阱激光器
文献传递
InP基中远红外量子级联激光器材料与器件
李爱珍张永刚徐刚毅林春李华李存才胡建胡雨生张雄南矿军何友军顾溢朱诚
该课题基于自主发展的12项国家发明专利, 将能带波函数量子工程与气态源分子束外延(GSMBE)单原子层生长相结合,设计了具有自主知识产权的中红外波段磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构; 建立了自主知识的35-100级含4...
关键词:
关键词:量子级联激光器
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是:(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是:(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍陈建新李华徐刚毅张永刚林春杨全魁李存才胡建
文献传递
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是:(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是:(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍陈建新李华徐刚毅张永刚林春杨全魁李存才胡建
文献传递
气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
齐鸣徐安怀陈晓杰朱福英艾立鹍李爱珍李存才胡建
解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术,在InGaP/Ga...
关键词:
关键词:GSMBE
分子束外延3~5族锑化物激光器、探测器材料及其应用
李爱珍郑燕兰张永刚林春钟金权胡建李存才简贵胄杨全魁
该成果采用分子束外延生长Ⅲ~Ⅴ族锑化物量子阱、异质结构材料;设计了加宽波导AlGaAsSb/InGaAsSb 多量子阱激光器结构,加宽禁带窗口的AlGaAsSb/InGaAsSb pin探测器结构;提出了MBE激光器、探...
关键词:
关键词:分子束外延
磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括:(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法;(2)外延层的组份均匀性的控制;(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主...
李爱珍林春李华李存才胡建顾溢张永刚徐刚毅
文献传递
分子束外延Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱
1992年
报道了(100)半绝缘GaAs衬底和(100)掺Te GaSb衬底上分子束外延法生长的Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱特性,分析解释了引起两种衬底上Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y外延材料红外光谱差异的原因.实验确定了这种材料的带隙和相应波长,与内插法计算的结果进行了比较,发现所有样品的实验值均偏大于理论值,对此进行了理论探讨.
毕文刚李爱珍郑燕兰王建新李存才
关键词:红外光谱多元合金合金
高速光电探测器
张永刚李爱珍刘天东刘家洲郝国强顾溢李存才胡建
经5年来的不断努力,该课题的预定目标均已达到,并扩展了相关研究内容,在波长扩展探测器等方面取得了突破,全面超指标完成了预定计划。主要工作包括:设计了与LNA结构兼容的高速光电探测器结构,包括与HBT兼容的PIN结构及和H...
关键词:
关键词:光电探测器
共2页<12>
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