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谈大学生创业教育——以西南某高校为例: 2017年; 为有效促进大学生的创业,文章在分析当前大学生创业面对的机遇与挑战,创业过程中存在的问题的基础上,结合调研,以西南某高校为例,从学科竞赛、人才培养计划等方面探讨了大学生创业教育的具体措施。; 武剑于淼文译李川; 关键词：大学生创业教育创新教育

超高压SiC功率器件新结构与实验研究: 万伏级超高压功率器件主要应用在高压直流输电、全电化舰船、高能激光武器等领域。尽管硅（Si）器件通过串联形式可以将模块电压做到10kV以上，但是元器件数量多，拓扑结构繁杂，寄生效应增多，极大地制约了超高压大功率电力电子装置...; 文译; 关键词：PIN二极管 MOSFET 超高压碳化硅; 文献传递

人文关怀视角下大学生思想政治教育研究——评《当代大学生思想政治教育工作机制建设研究》被引量：3: 2019年; 十九大报告中指出“青年兴则国家兴,青年强则国家强。青年一代有理想、有本领、有担当,国家就有前途,民族就有希望。”这是习近平总书记对青年一代寄予的殷切期望。大学生作为青年中的一份子,是时代的先锋,时代的弄潮儿,肩负着国家富强和民族振兴的重任。大学生的思想理论水平涉及整个民族的未来,同时也关系着每个大学生的人生之路的好坏。因此,提高大学生的思想理论水平成为当代大学德育内容的重点,目前学术界对高校思想政治教育工作机制的著书较少,对机制分析不够深入透彻。教育工作者肖亚歌著述的《当代大学生思想政治教育工作机制建设研究》(中国农业出版社2019年4月出版),系统阐释了当代大学生思想理论教育的现状与困境,独创性地提出解决策略,对大学思政教育提出一定的建议。; 张媛媛文译邹杉; 关键词：思想政治教育工作当代大学生思想政治教育研究思想理论教育

网络新媒体在大学新生适应性教育应用中的实证研究——以电子科技大学为例被引量：1: 2017年; 近年来,随着移动互联网技术日新月异的发展,门户网站、微信、微博等为主体的新媒体已广泛应用于社会各个领域。大学生群体作为互联网世界的"原住民",受网络新媒体虚拟环境影响明显。如何有效嫁接新媒体与高校新生入学教育,充分利用网络新媒体的优势和特点,助推新生适应性教育,成为高校教育工作者的机遇和挑战。; 文译张媛媛于淼; 关键词：新媒体大学新生适应性教育

1700V 4H-SiC DMOS晶体管的设计和实验研究: 碳化硅(Silicon Carbide)半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点,已经成为国际功率半导体领域的研究热点。与Si基功率器件相比,Si C功率半导体器件及模块不仅功率...; 文译; 关键词：碳化硅 DMOS 击穿电压 C-V测试; 文献传递

1700V 4H-SiCDMOS晶体管的设计与实验研究: 碳化硅（Silicon Carbide）半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点，已经成为国际功率半导体领域的研究热点。与 Si基功率器件相比，SiC功率半导体器件及模块不仅功率...; 文译; 关键词：击穿电压 C-V测试结构参数; 文献传递

网络微时代高校思想政治教育工作的研究和探索被引量：11: 2016年; 结合网络新媒体传播与更新速度快,具有交互性和及时性、个性化和社群化等特征,以人才培养为核心,本文构建了突破"3C"局限,开拓"3I"局面的基于网络微时代的高校网络思想教育创新体系。; 文译张媛媛于淼邹杉; 关键词：网络思政

一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法。本发明所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极、N+衬底、N-漂移区、P+层和阳极电极，其特征在于，所述P+层上有多个有固定...; 邓小川李轩王向东文译饶成元张波; 文献传递

高校网络文化建设面临的问题及解决办法探索: 2014年; 网络新媒体的发展对当今大学生的思维模式,行为方式造成了极大冲击。如何积极面对网络发展,正确引导大学生充分合理利用网络,是高校网络文化建设者面临的新课题和新要求。本文对新形势下的高校网络文化建设现状进行了分析,总结新形势下高校网络文化建设工作的面临的各种问题,并通过三个方面对上述问题进行充分剖析,希望能对网络新媒体时代下的高校文化建设工作有一定的指导意义。; 张媛媛于淼文译; 关键词：高校网络新媒体

10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究被引量：3: 2021年; 针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏电压开启,有效避免了体二极管开通所导致的双极退化效应。二维数值分析结果表明,SiC LBD-MOSFET的击穿电压达13.5 kV,第三象限开启电压仅为1.3 V,相比传统结构降低48%,可有效降低器件第三象限导通损耗。同时,由于LBD-MOSFET具有较小的栅漏交叠面积,其栅漏电容仅为1.0 pF/cm^(2),器件的高频优值为194 mΩ·pF,性能相比传统结构分别提升了81%和76%。因此,LBD-MOSFET适用于高频高可靠性电力电子系统。; 文译陈致宇邓小川柏松李轩张波; 关键词：击穿电压碳化硅

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