孙元平
- 作品数：28 被引量：38H指数：3
- 供职机构：烟台大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- SiC材料的NLD快速均匀刻蚀被引量：5
- 2015年
- 基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等工艺参数变化对NLD设备刻蚀SiC的影响;并研究了不同径向位置的SiC材料在刻蚀过程中的均匀性。结果表明,增加偏置电源功率可以提高刻蚀速率,却降低了金属的抗刻蚀比;增加RF天线功率,能降低偏压以及离子轰击能量,同时刻蚀速率先增大后减小;增加O2和SF6流量比率,刻蚀速率先增大后减小,偏压缓慢增大;刻蚀不同径向位置的SiC材料,均匀性为1.94%,刻蚀速率为738 nm/min。
- 张伟孙元平刘彬
- GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文)
- 2002年
- 对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、KOH水溶液以及熔融KOH ,腐蚀温度为 90～ 30 0℃ .实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑 .KOH溶液腐蚀出长方形的坑 ,长边平行于 (111)A面 ,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同 .用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性 .此外 ,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错 .
- 沈晓明冯志宏冯淦付羿张宝顺孙元平张泽洪杨辉
- 关键词：砷化镓MOVPE湿法腐蚀金属有机物气相外延
- 过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究被引量：1
- 2007年
- 利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系,指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加是导致空穴载流子浓度随掺杂浓度增加而减少的主要原因.尽管适当增加镁的掺杂浓度可以提高样品中空穴的迁移率,但是超高的重掺杂将会导致样品中的空穴浓度和迁移率同时急剧下降.
- 周淑菊郭洪英孙元平林圣路
- 关键词：重掺杂
- GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现被引量：7
- 2002年
- 利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键合方法实现的以 Ni/ Ag/ Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的 Ga N/ Ga As样品的光反射率在理论计算的 4 5 9.2 nm处提高了 2 .4倍 .
- 孙元平张泽洪赵德刚冯志宏付羿张书明杨辉
- 关键词：发光二极管立方相GAN晶片键合GAAS衬底
- 温度对量子点接触电导量子化的影响
- 1999年
- 利用简单的２Ｄ－准１Ｄ－２Ｄ（二维－准一维－二维）理论模型，研究了零温和有限温度下，介观尺寸量子点接触中的电导随费米能的变化关系．计算表明，在较低温度下（如８Ｋ），温度效应使一定纵横比的量子点接触电导平台振荡消失，但电导仍出现以２ｅ２／ｈ为单位的量子化．
- 孙金祚戴振宏孙元平
- 关键词：量子点接触电导介观物理温度量子化
- GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制被引量：1
- 2002年
- 采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.
- 冯淦郑新和朱建军沈晓明张宝顺赵德刚孙元平张泽洪王玉田杨辉梁骏吾
- 关键词：GAN半导体材料
- ZnS包覆及其光致发光研究
- 2009年
- 应用水热法制备了立方相ZnS,通过均匀沉淀法得到ZnO包覆的ZnS颗粒。简单介绍了包覆的原理,对样品进行了XRD、SEM和光致发光光谱PL表征。结果表明,应用不同的表面活性剂可得到形貌各异的样品。
- 史新宇杨国建李剑平孙元平徐宝龙
- 关键词：硫化锌水热法光致发光谱
- Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2
- 2003年
- 在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 .
- 张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉
- 关键词：GANPT肖特基接触退火MOVPE
- ZnO制备中OH-/Zn2+浓度比对ZnO性质的影响
- 氧化锌(ZnO)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙化合物半导体材料,具有六方纤锌矿结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,广泛应用于短波长发光二极管、荧光材料、激光器、光敏器件、紫外探测器等光电子纳米器件...
- 李杨袁润张晓颖张建孙元平
- 关键词：水热法纳米ZNO光致发光
- 文献传递
- 立方相GaN的晶片键合技术以及金属接触性质的研究
- GaN以及GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物因其特有的宽带隙而具有的优良的电学、光学性质和优异的材料机械性,使其在光学器件、电子器件以及特殊条件下的半导体器件领域（如图形和图像的全色显示、高密度信息存储和短波辐射探测等领域）有着广阔...
- 孙元平
- 关键词：GAN半导体器件GAAS衬底晶片键合金属接触
