姚峥嵘
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信一般工业技术更多>>
- ZnO微纳米柱的生长、掺杂与性质研究
- 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，禁带宽度约为3.37eV，其室温下的激子束缚能高达60meV，在短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。但ZnO中的p型掺杂具有较高的形成能和严重的自补偿效应，并导致...
- 姚峥嵘
- 关键词：氧化锌P型掺杂晶体生长光学性能
- 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法
- 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，...
- 汤琨朱顺明顾然顾书林叶建东黄时敏姚峥嵘郑有炓
- 文献传递
- N掺杂ZnO的缺陷识别与物性调控被引量：3
- 2020年
- ZnO由于其室温下激子稳定存在,因此是一种具备高效发光性能的宽禁带半导体材料.然而,由于ZnO材料本征缺陷种类繁多、性质复杂,且缺乏合适的p型掺杂剂,其出色的光电性能一直未得到应用.近年来,越来越多的研究工作指出,ZnO的材料性质极大程度依赖于其中杂质缺陷的组成,因此对ZnO中缺陷的种类识别和调控手段的研究成为ZnO材料走向应用前待解决的重要问题.本文结合近年来的研究进展,介绍了ZnO中各类本征缺陷的性质和调控手段,指出了N掺杂ZnO体系中受主的主要来源,获得了抑制补偿施主和诱导浅受主的一系列有效方法.在此基础上,提出了等价元素-受主共掺技术,实现了ZnO纳米材料的p型掺杂及同质结LED,并进一步拓展了ZnO纳米材料应用于存储器和宽频光探测器.
- 汤琨姚峥嵘许钟华杜倩倩朱顺明杜倩倩朱顺明
- 关键词：氧化锌氮掺杂本征缺陷P型掺杂光探测器
- 金属有机源化学气相沉积法生长氧化锌薄膜中氢气的作用及其机理被引量：1
- 2014年
- 本文重点探讨了金属有机源化学气相沉积生长ZnO薄膜中氢气的作用与机理.研究表明氢气对ZnO薄膜的结构与性质具有重要的影响.当采用叔丁醇为氧源时,氢气对ZnO薄膜的晶体质量,表面结构和发光性质主要产生负面的影响,同时发现氢气的加入有助于抑制碳的沾污.而当采用笑气为氧源时,测量显示表面变光滑,晶体质量得到提高,发光强度也得到提升.氢气在笑气作为氧源生长ZnO的过程中基本起到了正面的作用.论文最后从氢气降低生长表面能量,提高表面原子迁移能力但存在表面腐蚀作用的方向以上结果给予了较好的解释.研究显示MOCVD生长高质量ZnO薄膜中氢气的优化具有特别重要的意义.
- 朱顺明顾然黄时敏姚峥嵘张阳陈斌毛昊源顾书林叶建东郑有炓
- 关键词：氧化锌
