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吴世勇
作品数:
5
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李肇基
电子科技大学
曾军
电子科技大学
李学宁
电子科技大学
唐茂成
电子科技大学
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1991
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互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性
被引量:1
1992年
本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型.根据双极传输理论,考虑电导调制效应、闭锁效应、反向注入及电流的多维效应,导出一种漂移宽基区双极—MOS器件的电路网络模型.首次将此模型直接嵌入SPICE3A.7中.计算CLIGBT在不同栅压和横向电阻下的静态闭锁特性及在不同漂移区长度和不同PMOS宽长比下的瞬态闭锁特性.由此可解决含有CL-lGBT等BIMOS类器件的高压集成电路HVIC的设计问题.
李肇基
王国新
曾军
吴世勇
关键词:
双极晶体管
横向绝缘栅双极晶体管特性的模拟与分析
吴世勇
横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析
1990年
求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p^+ 短路槽和 p^-/p^+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。
李肇基
曾军
吴世勇
关键词:
绝缘
双极晶体管
电压
电流
LIGBT正向压降的二维数值分析
吴世勇
李肇基
曾军
关键词:
数值模拟
压降
功率晶体管
电路分析
新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制
被引量:2
1997年
本文提出了两种新结构MCT器件,通过器件模拟器PISCES-ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解.采用自对准三重扩散工艺,成功地实现了两种新结构MCT器件,其电流关断能力分别达到114A/cm2和41A/cm2.
李学宁
李肇基
吴世勇
唐茂成
关键词:
晶闸管
MOS
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