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唐茂成
作品数:
8
被引量:6
H指数:2
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李肇基
电子科技大学
王新
电子科技大学
李学宁
电子科技大学
吴世勇
电子科技大学
张波
电子科技大学
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李肇基
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王新
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高压功率DGMOSFET的二维数值分析
采用有限差分方法对高压功率双栅MOSFET(DGMOSFET)的直流特性进行二维数值分析。验证了DGMOSFET的低压MOSFET和VDMOSFET的公共N+浮空区可以近似看成恒定电阻;发现DGMOSFET中VDMOSF...
曾军
李肇基
唐茂成
关键词:
MOS场效应晶体管
功率晶体管
数值模拟
电流分布
电位
新型发射极开关类晶闸管
1995年
本文提出了两种新型发射极开关晶闸管:辅助关断发射极开关晶闸管AOEST(assistantoffemitterswitchedthyristor)和双注入发射极开关晶闸管DI-EST(dualinjectionemitterswitchedthyristor)。研究了发射极开关类晶闸管EST(emitterswitchedthyristor)、AOEST、DIEST正向工作特性及关态工作特性,比较了它们各自的优缺点,同时为该类功率器件发展提出了设想。
王新
李学宁
李肇基
唐茂成
关键词:
发射极
开关
晶闸管
功率器件
发射极开关晶闸管正向特性分析
1996年
本文在对发射极开关晶闸管EST(EmitterSwitchedThyristor)正向特性二维数值分析的基础上,提出了EST正向工作时的五个区域。从剖面图及等效电路图出发,分区、分阶段对其正向特性进行了解析分析。最后将实验结果、解析分析结果及数值分析结果进行比较,发现数值分析结果和解析分析结果吻合较好,同时说明了解析结果和实验结果之间存在差别的原因。
王新
李肇基
唐茂成
关键词:
发射极
平面型单片功率达林顿复合管
被引量:1
1990年
本文介绍了一种适用于高压集成和功率达林顿阵列的平面型单片功率达林顿复合管,采用公共基区结构,利用非均匀氧化层场板结构提高了器件耐压,并获得了电流增益为1000~2500的结果.
张波
唐茂成
关键词:
平面型
单片
MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究
被引量:3
1996年
本文对MCT的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM—Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明:获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构DOFM-CT器件,其电流可控能力达134A/cm2。
李学宁
唐茂成
李肇基
李原
刘玉书
关键词:
MOS控制晶闸管
场效应器件
功率器件发展及新型可关断晶闸管
1994年
本文介绍了功率器件的发展过程,重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构,工作机理,及它们各自的特点。
王新
唐茂成
李肇基
梁春广
关键词:
可关断晶闸管
晶闸管
MOS
功率器件
发射极开关晶闸管正向特性数值分析
1994年
本文在计算机二维数值分析的基础上,模拟了EST(emitter&switchedthyristor)正向工作时的载流子浓度,电流的变化过程,从而深入了解了EST正向工作特性,最后指出了EST正向工作时的五个工作区域。
王新
李肇基
唐茂成
关键词:
数值模拟
发射极
新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制
被引量:2
1997年
本文提出了两种新结构MCT器件,通过器件模拟器PISCES-ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解.采用自对准三重扩散工艺,成功地实现了两种新结构MCT器件,其电流关断能力分别达到114A/cm2和41A/cm2.
李学宁
李肇基
吴世勇
唐茂成
关键词:
晶闸管
MOS
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