曾军
- 作品数：12 被引量：4H指数：1
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- 扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压被引量：2
- 1992年
- 采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。
- 陈星弼曾军
- 关键词：电场击穿电压
- 高压功率器件特性的数值分析被引量：1
- 1989年
- 在求解高压功率(HV/P)器件的泊松方程与连续性方程中,将与注入和掺杂有关的因子引入物理参数模型。针对HV/P器件分析程序特有的收敛与溢出问题,采用从低电压到高电压的分段解法和归一化的模拟方法。利用此程序对HV/P器件具有场限环和场板结构的特性进行了模拟。
- 李肇基陈星弼曾军
- 关键词：电场分布场板场限环
- 互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性被引量：1
- 1992年
- 本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型.根据双极传输理论,考虑电导调制效应、闭锁效应、反向注入及电流的多维效应,导出一种漂移宽基区双极—MOS器件的电路网络模型.首次将此模型直接嵌入SPICE3A.7中.计算CLIGBT在不同栅压和横向电阻下的静态闭锁特性及在不同漂移区长度和不同PMOS宽长比下的瞬态闭锁特性.由此可解决含有CL-lGBT等BIMOS类器件的高压集成电路HVIC的设计问题.
- 李肇基王国新曾军吴世勇
- 关键词：双极晶体管
- 有场限环和横向变掺杂的平面结二极管电场分布的二维数值分析
- 1992年
- 本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二极管的反向击穿特性进行二维数值模拟;同时,为进一步克服由于高反偏压导致的低求算效率,本文引入一套与外加偏压相关的归一化参数对Poisson方程进行归一化,并给出归一化参数随外加偏压变化的经验公式。利用上述技术,分别对平面结二极管以及具有双FFLR's的结构和由五段Gauss掺杂分布形成的VLD的结构的平面结二极管的表面电场进行二维数值分析,得到了满意的结果。
- 曾军李肇基陈星弼
- 关键词：平面结二极管
- 器件模拟中网格的动态生成与调整
- 1992年
- 针对近年来器件三维数值模拟中网格生成的重要地位。详细讨论和分析了同前数值网格的类型、初始网格的生成及网格自动调整的算法与技术;提出了在网格生成中几个应特殊考虑的问题及处理方法。
- 曾军
- 关键词：半导体器件
- PISCES对具有场限环的平面结二极管电场分布的模拟
- 1991年
- 将二维(2D)电势表达式和新判据引入到 Stanford 大学的器件模拟器 PISCES-IIB中,使之能在零载流子工作模式下便能迅速、正确地对具有浮空场限环(FFLR's)的平面结二极管的表面电场进行二维数值模拟。
- 曾军李肇基
- 关键词：平面结二极管电场分布
- 高压功率DGMOSFET的二维数值分析
- 采用有限差分方法对高压功率双栅ＭＯＳＦＥＴ（ＤＧＭＯＳＦＥＴ）的直流特性进行二维数值分析。验证了ＤＧＭＯＳＦＥＴ的低压ＭＯＳＦＥＴ和ＶＤＭＯＳＦＥＴ的公共Ｎ＋浮空区可以近似看成恒定电阻；发现ＤＧＭＯＳＦＥＴ中ＶＤＭＯＳＦ...
- 曾军李肇基唐茂成
- 关键词：MOS场效应晶体管功率晶体管数值模拟电流分布电位
- 功率器件数值分析中的算法设计
- 曾军李肇基陈星弼
- 关键词：半导体器件计算机辅助设计计算机模拟
- 相位一致性行波管“冷参数”研究的CAA和CAT
- 该文以行波管的网络串物理模型为基础,分析了行波管中的微波不连续性--输能机构和隔断衰减器--对行波管相位一致性的影响;以计算机辅助分析(CAA)工具--Agileni HFSS三维电磁场仿真软件--为手段,完成了对输能机...
- 曾军
- 关键词：相位一致性电磁仿真自动化测试系统三维电磁场
- 文献传递
- 功率器件数值分析中的模型及算法
- 1991年
- 针对功率器件二维数值分析的复杂性,引入修正因子 η_1、η_2和 η_3对常规器件物理参数模型进行简化和修正,使之能正确描述功率器件的有关物理机制.将所得模型以及针对功率器件高偏压工作特点而引入的一组新的归一化参数嵌入通用器件模拟器 GEDS 中,对高压平面结二极管的反向特性和 LIGT 的正向特性进行模拟,得到完全正确的结果.本文还深入研究了功率器件数值分析中的算法设计,发现 DN 法适宜求算器件的反向特性,NR 法适宜求算器件的正向特性.
- 曾军李肇基
- 关键词：功率器件
