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魏倩

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇天文地球

主题

  • 2篇放大器
  • 1篇低压
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇氧化物
  • 1篇噪声系数
  • 1篇射频
  • 1篇贴装
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇封装
  • 1篇高线性
  • 1篇半导体
  • 1篇CDMA
  • 1篇CMOS低噪...
  • 1篇表面贴装
  • 1篇表面贴装封装

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇李拂晓
  • 2篇魏倩
  • 1篇杨乃彬
  • 1篇邵凯
  • 1篇铁宏安
  • 1篇翁长羽
  • 1篇纪军
  • 1篇张斌
  • 1篇许晓丽

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第三届中国国...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
低压、高线性、高效率CDMA功率放大器
本文报道了低压、高线性、高效率CDMA功率放大器的设计与制造.该放大器采用GaInP/GaAs HBT技术,芯片尺寸:1.1mm×1.4mm,并利用LGA封装技术将芯片和10个元件封装在6mm×6mm×1.1mm 7引脚...
郑远许晓丽纪军魏倩李拂晓邵凯杨乃彬
关键词：高线性
文献传递
2．1GHz CMOS低噪声放大器
2008年
采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
铁宏安李拂晓李向阳冯晓辉姚祥魏倩张斌翁长羽
关键词：射频低噪声放大器噪声系数
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