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高中林

作品数:17 被引量:9H指数:1
供职机构:东南大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信理学自然科学总论机械工程更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇自然科学总论
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 8篇发光
  • 4篇声表面波
  • 4篇光谱
  • 4篇二极管
  • 4篇MIS
  • 3篇隧道结
  • 3篇发光机理
  • 3篇半导体
  • 3篇MIM
  • 2篇电流
  • 2篇电压
  • 2篇隧道二极管
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土元素
  • 2篇硅基
  • 2篇发光器件
  • 2篇负阻
  • 2篇负阻现象
  • 1篇导体
  • 1篇电流-电压

机构

  • 16篇东南大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇南京化工学院

作者

  • 17篇高中林
  • 8篇孙承休
  • 8篇蔡益民
  • 8篇俞建华
  • 4篇汪开源
  • 2篇王茂祥
  • 2篇唐洁影
  • 2篇刘柯林
  • 2篇魏同立
  • 2篇王启明
  • 1篇徐伟弘
  • 1篇孙承
  • 1篇王林

传媒

  • 3篇发光学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇云南大学学报...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇光学学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第五届全国场...

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1993
  • 4篇1992
  • 1篇1988
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MIM隧道二极管的发光机理被引量:1
1995年
本文介绍金属-绝缘体-金属(MIN)结的基本结构及其发光机理,根据电流波动理论计算得到的表面等离子极化激元(SPP)慢模能量分布与测量光谱的比较,得出发光中慢模起主要作用的结论,并以此来说明MIM结I-V特性的负阻现象。
蔡益民孙承休高中林魏同立
关键词:极化激元二极管
气压扫描半导体激光器线宽测试仪
气压扫描半导体激光器线宽测试仪是一种激光器参数测试仪器,它由望远镜系统、密封气压室、F-P标准具和气压控制系统及压力传感器等组成;可以用x-y记录仪直接画出激光的线形和模式,也可以同时用Z-80单板机直接读出激光器线宽的...
汪开源高中林章建洛孟晓晶
文献传递
MIM隧道发光结的负阻现象
蔡益民高中林
关键词:隧道效应
高性能混合集成光中继器
高性能混合集成光中继器是一种用于光纤通讯的光中继器,它可由光电检测与前置放大部分、主放大器及自动增益控制、均衡电路、抽时钟判决再生电路、接口电路和半导体激光器驱动电路组成,其中抽时钟判决再生电路采用声表面波滤波器件、电容...
汪开源徐伟弘高中林
文献传递
硅基MIS隧道二极管的研究
1999年
硅基MIS隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基发光器件提供了可能性.报道了MIS隧道发光二极管(MISLETD)的制作过程、电流-电压和发射光谱特性。
俞建华孙承休刘柯林高中林王启明
关键词:MIS硅基发光机理
电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系
1992年
电解液电反射(EER)光谱技术,工艺简单,易于实现,并且具有很高的灵敏和分辨率,因此长期以来在研究半导体材料特性方面得到了广泛的应用,例如,半导体的能带结构、光学性质、合金组分等。利用电反射光谱检测化合物半导体材料掺杂浓度的空间分布均匀性也获得了令人满意的结果。但是,这种方法在测量绝对掺杂浓度上遇到了困难,因而至今尚未得到应用。
高中林汪开源唐洁影
关键词:光谱半导体掺杂
稀土元素Dy在MIM隧道结发光中的作用研究被引量:1
1995年
制备了掺稀土元素Dy的MIM隧道发光结,得到结的发射光谱、伏安特性及对各层膜的成份分析,结果显示Dy元素的加入提高了MIM结的发光强度.讨论了Dy元素在提高MIM隧道结的发光效率中所起的作用.
俞建华孙承休蔡益民高中林
关键词:稀土元素DY发光强度
声表面波MIM隧道发光二极管被引量:1
1993年
我们在研究MIM隧道发光结(金属-绝缘层-金属)的过程中,首次以表面声波代替表面随机粗糙度的作用,将MIM结制作在声表面波场中,结果使结的发光效率、发光强度、稳定性、均匀性都有改善.本文介绍了结的基本结构,基本工艺,阐明了结的发光机理,讨论了结的I—V特性曲线和光谱曲线,根据结具有显著的负阻现象,我们设计出了一种新型的开关器件.
蔡益民孙承休高中林俞建华
关键词:隧道结声表面波器件发光二极管
稀土元素Dy对金属/绝缘体/金属隧道结发光特性的影响
1998年
在普通金属/绝缘体/金属(MIM)隧道发光结的基础上,制备了掺稀土元素Dy的MIDyM结构隧道发光结。简单介绍了该结的制备工艺,对结的发光特性及发光过程中表面等离极化激元(SPP)的色散关系进行了讨论,对发光光谱进行了分析,阐述了稀土元素Dy对结的发光特性的影响。
王茂祥孙承休俞建华高中林
关键词:稀土元素发光特性光谱
MIS(Au-SiO_2-Si)隧道发光结被引量:7
1996年
在研究一般MIM(Al-Al2O3-Au)结的基础上,为了克服Al的不稳定性和改善结的性能,我们采用半导体材料Si代替Al,研制成功MIS(Au-SiO2-Si)隧道结,观察到了稳定的发光现象.介绍了MIS结的基本结构和工艺流程,分析了结中SPP的各个模式,讨论了结的发光光谱,阐明了MIS结的发光机理.
蔡益民孙承烋高中林
关键词:半导体材料半导体结构
共2页<12>
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