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孙承休
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38
被引量:56
H指数:4
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东南大学
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王茂祥
南京大学工程管理学院
俞建华
南京新联电子有限公司南京210...
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高中林
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魏同立
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1994
1篇
1993
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PbSrTiO_3铁电薄膜隧道结的I-V特性
被引量:2
2002年
报道了对用射频磁控溅射法制备的钛酸锶铅 (PST)薄膜隧道结进行的 I V特性的测量 ,发现有负阻现象 。
陈红卫
缪江平
翟亚
吴宗汉
孙承休
孙平
关键词:
隧道结
I-V特性
负阻
稀土元素Dy对金属/绝缘体/金属隧道结发光特性的影响
1998年
在普通金属/绝缘体/金属(MIM)隧道发光结的基础上,制备了掺稀土元素Dy的MIDyM结构隧道发光结。简单介绍了该结的制备工艺,对结的发光特性及发光过程中表面等离极化激元(SPP)的色散关系进行了讨论,对发光光谱进行了分析,阐述了稀土元素Dy对结的发光特性的影响。
王茂祥
孙承休
俞建华
高中林
关键词:
稀土元素
发光特性
光谱
镝
多弧离子镀技术中的真空放电过程
被引量:18
1997年
多弧离子镀技术是基于阴极弧光放电原理提出的一种新型真空沉积技术.文章对该技术的特点、发展现状及其应用情况作了简单介绍,着重分析了该技术中真空弧光放电的过程并提出了放电的热-场致电子发射模型。
王茂祥
吴宗汉
孙承休
关键词:
多弧离子镀
真空放电
PVD
真空沉积
金属/绝缘层/金属隧道结的粗糙度与发光光谱的关系
被引量:5
1997年
在金属/绝缘层/金属(Metal/Insulator/Metal,MIM)隧道结发光中,粗糙度与表面等离电磁场量子(SurfacePlasmonPolariton,SPP)的耦合起着非常重要的作用.本文利用原子力显微镜摄得发光MIM隧道结粗糙表面的照片,研究了粗糙度分布的统计结果与测得的发光光谱之间的关系.
张佑文
孙承休
高中林
孙曰俊
关键词:
粗糙度
发光光谱
光电器件
表面等离极化激元对电荷输运影响的自洽场理论研究Ⅱ——MIM体系分子轨道场的计算与分析
2005年
采用自洽场方法计算MIM体系在电场作用下分子场系数、态密度和局域电子态密度的变化 .结果表明 ,分子场系数分布呈现弦函数形式 ;随电场增大 ,能带向深能量延伸并且能级峰间分离的更明显 ,以及构成电流通道的 3dm群原子轨道交叠态的重叠量增大 ,提高了电荷输运的能力 .该分析为探讨SPP对电荷输运影响的建立奠定了基础 .
缪江平
吴宗汉
孙承休
孙岳明
关键词:
自洽场方法
双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象
2000年
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理,对结I-V特性中负阻现象的产生及其与表面等离极化激元激发发光的关系进行了研究。
王茂祥
吴宗汉
孙承休
章继高
关键词:
负阻现象
I-V特性
MIDyM隧道发光二极管的研究
1998年
稀土元素Dy引入以玻璃为基底的隧道发光二极管(简称为MIDyMTD)后,其发光强度得到了明显提高,Ⅰ-Ⅴ特性的负阻现象变弱,并出现了较弱的量子共振隧穿现象。量子共振隧穿导致了起发光中介作用的SPP慢模式的增强,最终导致了MIDyMTD发光的增强。另外,以铌酸锂单晶片为基底的MIDYMTD出现了较大的负阻(峰:谷—7:1),并且发射光谱的短波方向出现了戏剧性的增加。
俞建华
孙承休
王茂祥
魏同立
关键词:
隧道二极管
硅基双势垒结构隧道发光二极管及其制造方法
硅基双势垒结构隧道发光二极管及其制造方法是一种硅基发光管及其制造方法,该二极管的结构为以硅片为基底,在硅片的上表面设有一层磷扩散层,在磷扩散层上设有200nm厚度的二氧化硅层,在该二氧化硅层上设有一个直径为1-3mm的小...
王茂祥
孙承休
俞建华
文献传递
表面等离极化激元对电接触过程中负阻现象影响的分析
被引量:3
1999年
在电接触过程中,金属 氧化物 金属和金属 氧化物 氧化物 金属的接触界面上会出现表面等离极化激元(SPP).SPP有两种存在状态:不产生辐射状态和可以产生辐射状态.文中着重讨论了前一种状态SPP对电接触过程中的负阻现象等相关问题,并对之作了分析.
吴宗汉
孙健
王茂祥
陈维
孙承休
章继高
关键词:
电接触
负阻现象
多层膜
SPP
电子输运
科技期刊国际化的途径
分析了国内科技期刊国际化的现状,提出了科技期刊国际化的途径。首先科技期刊要尽力提升稿件的质量,吸引优秀的作者投稿,并在已投稿件中选出优秀稿件。争取早日被国际著名检索系统收录。还可通过期刊的网络化扩大期刊的影响力。还要进行...
沈长圣
竺捷
何晓红
孙承休
关键词:
科技期刊
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