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汪开源

作品数：42 被引量：98H指数：5
供职机构：东南大学电子科学与工程学院更多>>
相关领域：电子电信机械工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 27篇电子电信
  • 5篇机械工程
  • 5篇理学
  • 4篇自动化与计算...

主题

  • 14篇多孔硅
  • 11篇发光
  • 8篇光谱
  • 7篇光纤
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 6篇半导体
  • 5篇电路
  • 5篇中继
  • 5篇中继器
  • 5篇通信
  • 5篇光中继
  • 5篇光中继器
  • 4篇单片
  • 4篇单片机
  • 4篇光纤通信
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基材料
  • 3篇电致发光
  • 3篇线宽

机构

  • 42篇东南大学

作者

  • 42篇汪开源
  • 24篇唐洁影
  • 14篇徐伟弘
  • 6篇王占强
  • 4篇高中林
  • 4篇曹康敏
  • 3篇晁战云
  • 2篇徐伟宏
  • 2篇刘柯林
  • 1篇周海平
  • 1篇黄玉辉

传媒

  • 7篇固体电子学研...
  • 6篇光通信技术
  • 5篇电子器件
  • 5篇半导体光电
  • 3篇东南大学学报...
  • 2篇仪表技术
  • 2篇自动化与仪表
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇第六届全国光...
  • 2篇第五届全国场...
  • 1篇工业控制计算...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 6篇1997
  • 4篇1996
  • 9篇1995
  • 16篇1994
  • 2篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1989
  • 1篇1988
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
M/PS/Si/M结构的电致发光被引量：1
1995年
用阳极氧化工艺制作了多孔硅（ＰＳ）膜，采用第二次阳极氧化的方法看到了多孔硅的电致发光现象；并制作了一个Ｍ／ＰＳ／Ｓｉ／Ｍ类肖特基结构的发光二极管，观察到其电致发光，但其电致发光效率与强度很低，寿命很短，提出了研制实用化的多孔硅电致发光器件的努力方向。
汪开源唐洁影
关键词：电致发光阳极氧化
多孔硅吸收光谱和反射光谱被引量：3
1997年
测定了多孔硅的吸收光谱和反射光谱，结果发现其吸收边对应于可见光区域。同单晶硅相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。由多孔硅反射谱曲线。
徐伟弘晁战云汪开源
关键词：多孔硅吸收光谱反射光谱
MCS—51单片机系统失控的快速自恢复方法被引量：1
1996年
在工业应用现场,单片机系统难免会出现失控现象,本文对MCS-51单片机系统失控的原因进行了归类分析并有针对性地给出了一些实用的系统失控的快速自恢复的软硬件措施。
王占强徐伟弘汪开源
关键词：自恢复微机
多孔硅发光器件的设计与试验被引量：1
1995年
设计了多孔硅电致发光器件，讨论了工艺条件对器件Ｉ—Ｖ特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。
唐洁影汪开源
关键词：多孔硅发光器件
多孔硅吸收光谱的研究被引量：1
1996年
利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层，测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域，同单晶硅吸收光谱相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变，表现为一种新的能带结构特征。
晁战云唐洁影汪开源
关键词：多孔硅吸收光谱
多孔硅深能级谱的测试
1997年
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析，并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。
晁战云唐洁影汪开源
关键词：多孔硅表面态
多孔硅发光机制的分析被引量：22
1994年
从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。
汪开源唐洁影
关键词：多孔硅光致发光量子限制效应量子力学
一维 PSD 信号调理电路及其应用被引量：30
1997年
本文介绍了一维位置敏感器件ＰＳＤ及其信号调理电路，还介绍了一维ＰＳＤ的信号处理专用集成电路Ｈ２４７６的特点，并给出了一维ＰＳＤ、Ｈ２４７６在光学三角测距系统中的应用。
王占强徐伟弘汪开源
关键词：集成电路三角法PSD信号处理测距系统
多孔硅的形成与光致发光谱被引量：2
1994年
介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺，并分析了它的微结构，实验测定了多孔硅光致发光谱（ＰＬ），由ＰＬ谱的峰值位于可见光区，不同于Ｓｉ的带隙能量；用纳米量子限制效应（Ｑ－ＣＥ），解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔＥｃ和ΔＥｖ，于是多了孔硅有效带宽成为Ｅ＝Ｅ。＋ΔＥ。而Ｅ。是Ｓｉ的带宽为ｌ．０８ｅＶ，ΔＥｃ和上ΔＥｖ分别为ｈ２／４ｍｅｑ２和ｈ２／４ｍｈｑ２，由此计算与实验结果一致。
汪开源徐伟宏唐洁影
关键词：多孔硅微结构光致发光谱硅
用声表面滤波器作光－光中继器的抽时钟电路
1994年
本文对影响３Ｒ光－光三次群光中继器的性能的主要因素抽时钟电路进行了分析研究，介绍了一种新型的声表面滤波器（ＳＡＷＦ）作为抽时钟电路的核心器件，实验由ＳＡＷＦ器件得到的时钟抖动较小，最大时钟抖动为０．３ｕｓ（４．５°），在９连“０”时，时钟性能无明显下降，并具有电路结构简单、调整方便、时钟频率准确等优点。
汪开源唐洁影
关键词：光中继器声表面滤波器光纤通信
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