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金霞

作品数：5 被引量：3H指数：2
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇隔离沟槽
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇微显示
  • 2篇微显示器
  • 2篇微显示器件
  • 2篇显示器
  • 2篇显示器件
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列光开关
  • 1篇阵列器件
  • 1篇凸角补偿
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇亮度
  • 1篇光开关
  • 1篇封装
  • 1篇高亮
  • 1篇高亮度
  • 1篇ALGAIN...
  • 1篇GAA
  • 1篇GAP

机构

  • 5篇中国科学院长...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇暨南大学
  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 5篇金霞
  • 4篇梁静秋
  • 4篇王维彪
  • 3篇李佳
  • 2篇赵莉娜
  • 1篇乐孜纯
  • 1篇朱万彬
  • 1篇王淑荣
  • 1篇王波
  • 1篇王立军
  • 1篇兰卫华
  • 1篇孔庆峰
  • 1篇董玮
  • 1篇陈斌
  • 1篇陈维友
  • 1篇侯凤杰
  • 1篇明安杰
  • 1篇裴舒
  • 1篇梁中翥
  • 1篇张军

传媒

  • 1篇光电子技术
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 2篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
LED微显示器件的设计和隔离沟槽的制作研究
人们生活在一个丰富多彩的信息世界中，每时每刻都离不开信息的获取与交流。由于视觉信息丰富、准确、及时、可靠，自古以来就是人类获取信息最主要的手段。显示技术是将浩如烟海的信息转化为视觉信息的重要技术。随着电子产品、便携式移动...
金霞
关键词：隔离沟槽
文献传递
二维MOEMS阵列光开关的封装技术研究
本论文对二维MOEMS光开关阵列的准直耦合方案进了理论分析,设计了以固定在V型槽阵列基座上的准直器阵列进行耦合准直的光开关阵列的封装结构。V型槽可以采用单晶硅各向异性腐蚀的办法,或其他微细加工手段制作,实现了8×8 MO...
梁静秋赵莉娜董玮明安杰兰卫华张军金霞王维彪乐孜纯陈维友王立军
关键词：MOEMS插损凸角补偿
文献传递
一种超高亮度微显示器件的研究
梁静秋王维彪朱万彬梁中翥王波王淑荣陈斌裴舒金霞李佳
超高亮度微显示器件成果属于显示技术领域，本成果以MEMS技术为基础，采用湿法腐蚀方法在AlGaInP发光芯片上制备LED集成阵列，解决了高深宽比隔离沟槽的制备难题，制作了小体积、低功耗和高密度像素的LED微显示器件。实际...
关键词：
关键词：显示器件LED超高亮度
GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究被引量：3
2006年
良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二者配比为3∶1的条件下,在G aA s衬底材料上制备了深宽比为2∶1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。
李佳梁静秋金霞孔庆峰侯凤杰王维彪
关键词：GAAS湿法腐蚀
发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备被引量：2
2005年
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。
金霞梁静秋李佳赵莉娜王维彪
关键词：微显示器件隔离沟槽湿法腐蚀欧姆接触ALGAINPGAP
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