李佳 作品数:9 被引量:21 H指数:3 供职机构: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 更多>> 发文基金: 吉林省科技发展计划基金 国家自然科学基金 应用光学国家重点实验室开放基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 自动化与计算机技术 机械工程 更多>>
计算全息图误差分析方法 本发明涉及面形图分析技术领域,尤其涉及一种计算全息图误差分析方法,包括如下步骤:S1.收集面形图,并采集CGH局部误差面形图,生成图像数据集。S2.划分为训练集、验证集和测试集。S3.搭建深度学习网络,并对其进行训练,得... 程强 李佳 李龙响 胡海翔 李洪士 肖君泽 薛栋林 张学军GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究 被引量:3 2006年 良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二者配比为3∶1的条件下,在G aA s衬底材料上制备了深宽比为2∶1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。 李佳 梁静秋 金霞 孔庆峰 侯凤杰 王维彪关键词:GAAS 湿法腐蚀 聚酰亚胺悬臂MOEMS电磁光开关的优化设计 被引量:1 2006年 利用聚酰亚胺(PI)优良的机械、绝缘、耐热等性能,设计出基于PI膜的磁控光开关.给出合理的线圈宽度与间隙宽度,提出了八边形的线圈绕组结构,计算得出PI膜悬臂梁光开关驱动电压与工作距离的关系,并对悬臂梁长度、宽度、厚度进行优化.在驱动电压为2V时,自由端位移达到2mm. 孔庆峰 梁静秋 钟砚超 侯凤杰 李佳 孙德贵关键词:光开关 电磁驱动 悬臂梁 聚酰亚胺 计算全息检测技术的精度溯源研究现状分析(内封面文章) 2024年 随着光学系统性能的要求越来越高,非球面、自由曲面等复杂光学曲面能够提升系统的成像性能,因此提升复杂光学曲面的检测精度极为重要。干涉检测是测量复杂光学曲面的重要手段,其中计算全息检测法(Computer Generated Hologram,CGH)作为干涉检测中的一种,因其精度高和设计自由度大等优点得到了广泛的应用。但是在CGH检测复杂曲面的过程中存在的各类误差会影响波前检测的精度。文中首先介绍了计算全息法的检测精度现状,其次归纳总结了造成计算全息法误差的主要因素。分别介绍了不同误差的产生原理、影响效果、相对应标定补偿方法及适用情景和优缺点;并介绍了基于CGH占空比与线条位置误差的调研现状分析以及现有的研究方法;最后对计算全息法检测的精度溯源和精度提升研究趋势进行了展望。 李佳 程强 李佳 程强 李龙响 王孝坤 薛栋林 胡海翔关键词:计算全息图 误差分析 一种超高亮度微显示器件的研究 梁静秋 王维彪 朱万彬 梁中翥 王波 王淑荣 陈斌 裴舒 金霞 李佳 超高亮度微显示器件成果属于显示技术领域,本成果以MEMS技术为基础,采用湿法腐蚀方法在AlGaInP发光芯片上制备LED集成阵列,解决了高深宽比隔离沟槽的制备难题,制作了小体积、低功耗和高密度像素的LED微显示器件。实际...关键词:关键词:显示器件 LED 超高亮度 高精度长线列密排光纤阵列的制作研究 被引量:7 2007年 本文讨论了利用硅V型槽法制作高精度线性光纤阵列的可行性,介绍了硅V型槽制作机理,对影响器件精度的主要因素进行了分析,并在器件设计、制作中给予充分考虑。根据器件的可靠性要求,分析了用于光纤粘接的粘接剂应满足的特性,并对紫外固化胶和红外粘接剂进行实验对比,结果表明,Norland紫外固化胶和353ND红外粘接剂为最佳选择。用各向异性湿法腐蚀技术制作了硅V型槽,进行了光纤排列、定位及端面处理,制作出了高精度线性光纤阵列。对端面面型误差和表面粗糙度的测试后,结果表明光纤阵列端面纵向位置误差≤324 nm,表面粗糙度均方根值小于3.85nm。 侯凤杰 梁静秋 郭鹏 孔庆峰 李佳关键词:误差分析 粘接剂 LED阵列的设计和制作工艺研究 被引量:11 2006年 根据Al GaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm×16μm和2μm。简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、Al GaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀。实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求。 梁静秋 李佳 王维彪关键词:微显示器件 隔离沟槽 湿法腐蚀 LED型微显示器件及其集成技术研究 李佳关键词:微显示器件 LED阵列 隔离沟槽 湿法腐蚀 封装 发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备 被引量:2 2005年 分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。 金霞 梁静秋 李佳 赵莉娜 王维彪关键词:微显示器件 隔离沟槽 湿法腐蚀 欧姆接触 ALGAINP GAP