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郁元桓: 作品数：14 被引量：18H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

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新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备: 2003年; 异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质SOI材料Si/γ-Al2O3/Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能。测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延SOI结构材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3与Si外延薄膜均为单晶,γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该SOI材料可应用于CMOS电路的研制。; 王启元谭利文王俊郁元桓林兰英; 关键词：SOI材料 LPCVD APCVD 晶体生长 EOS

Growth of Thin Silicon on Sapphire (SOS) Film Materials and Device Applications被引量：1: 2000年; The increasing emphasis on the sub\|micron CMOS/SOS devices has placed a demand for high quality thin silicon on sapphire (SOS) films with thickness of the order 100-200nm. It is demonstrated that the crystalline quality of as\|grown thin SOS films by chemically vapor deposition method can be greatly improved by solid phase epitaxy (SPE) process: implantation of self\|silicon ions and subsequent thermal annealing. Subsequent regrowth of this amorphous layer leads to a great improvement in silicon layer crystallinity and channel carrier mobility, respectively by double crystal X\|ray diffraction and electrical measurements. Thin SPE SOS films would have application to the high\|performance CMOS circuitry.; 王启元聂纪平刘忠立郁元桓; 关键词：SILICON

NTD氢区熔单晶硅退火行为研究: 本文对NTD单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用HALL电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律;利用红外吸收技术测量了不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证...; 王启元林兰英王建华邓惠芳蔡田海郁元桓; 关键词：单晶硅辐照缺陷退火; 文献传递

蓝宝石上硅膜(SOS)肖特基结注入电流检测的电子自旋共振及Si/Al_2O_3界面缺陷: 1993年; 我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一各向同性非对称的磁共振谱,经拟合它由线宽10^(-3)T,g值分别为2.0055及2.012的二线组合而成,二线强度比3.7:1。前者是硅悬挂键,后者为非晶硅价态尾态共振。实验证实该磁共振信号来自于Si/Al_2O_3界面。; 傅济时吴恩秦国刚朱美栋郁元桓; 关键词：蓝宝石硅膜

热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进被引量：3: 2002年; 采用高真空 MOCVD外延技术 ,利用 TMA( Al( CH3) 3)和 O2 作为反应源 ,在 Si( 10 0 )衬底上外延生长γ-Al2 O3 绝缘膜形成 γ-Al2 O3/ Si异质结构材料 .同时 ,引入外延后退火工艺以便改善 γ-Al2 O3 薄膜的晶体质量及电学性能 .测试结果表明 ,通过在 O2 常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2 O3 外延层的残余热应力及孪晶缺陷 ,改善外延层的晶体质量 ,同时可以提高 MOS电容的抗击穿能力。; 谭利文王俊王启元郁元桓刘忠立邓惠芳王建华林兰英; 关键词：热退火 SOI MOCVD

单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用被引量：2: 2002年; 对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨 .实验证实 NTD氢区熔单晶硅在 15 0～ 6 5 0℃范围内等时退火具有显著特点 :在 5 0 0℃下退火 ,出现电阻率极小值 ,即出现浓度很高的过量浅施主 ;P型向 N型转变温度为 4 0 0℃ ,迁移率恢复温度为 5 0 0℃ ,载流子恢复温度为 6 0 0℃ ,均明显低于 NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度。; 王启元林兰英王建华邓惠芳谭利文王俊蔡田海郁元桓; 关键词：中子辐照退火辐照缺陷单晶硅氢

CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量：2: 2001年; 报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .; 王启元林兰英何自强龚义元蔡田海郁元桓何龙珠高秀峰王建华邓惠芳; 关键词：硅 CMOS 集成电路

CMOS硅外延片质量改进及与器件关系: 林兰英郁元桓蔡田海昝育德王启元; 一、成果内容简介；关键技术、技术经济指标：与体硅工艺相比，CMOS硅外延具有良好的抗闭锁性能及更完整的硅表面，因而它对亚微米集成电路的开发具有重要意义。该项研究为φ102毫米(4in)低阻(0.01-0.02Ωcm)硅衬...; 关键词：; 关键词：互补型金属氧化物半导体硅外延片半导体工艺半导体器件

单晶硅中与氢有关的红外吸收光谱分析: 氢显著影响单晶硅的电学性能和机械强度,晶态硅中氢行为的深入研究正日益受到人们的关注。本文采用氢气氛区熔工艺制备了两种含氢单晶硅:（1）多晶硅作原料在纯氢气区下拉制区熔单晶硅（标记为FZ（H）Si）;（2）直拉单晶硅经一次...; 王启元林兰英王建华邓惠芳蔡田海郁元桓; 关键词：单晶硅红外吸收; 文献传递

利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性被引量：2: 1999年; ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果．; 刘忠立和致经于芳张永刚郁元桓