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王启元

作品数:32 被引量:19H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 8篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 22篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇衬底
  • 9篇硅衬底
  • 6篇氧化铝薄膜
  • 6篇退火
  • 6篇半导体
  • 4篇电路
  • 4篇氧化铝
  • 4篇氧化锌薄膜
  • 4篇热退火
  • 4篇金属有机物
  • 4篇金属有机物化...
  • 4篇缓冲层
  • 4篇集成电路
  • 4篇SOI材料
  • 4篇
  • 4篇MOCVD
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇氧沉淀
  • 3篇外延片

机构

  • 32篇中国科学院
  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 32篇王启元
  • 23篇王俊
  • 17篇王建华
  • 12篇林兰英
  • 12篇邓惠芳
  • 12篇郁元桓
  • 8篇蔡田海
  • 8篇曾一平
  • 6篇沈文娟
  • 5篇昝育德
  • 5篇谭利文
  • 4篇韩秀峰
  • 3篇刘忠立
  • 2篇李晋闽
  • 2篇王军喜
  • 2篇王晓亮
  • 2篇段垚
  • 2篇刘宏新
  • 2篇刘喆
  • 1篇高秀峰

传媒

  • 10篇Journa...
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇科技创业月刊
  • 1篇1998年全...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇1998年全...

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 4篇2001
  • 4篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法
一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法,利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂,对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀,形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形,包括如下步骤:取一半导体硅单晶衬底;在半导体硅单晶衬底上外延生长氧...
王启元王俊王建华
文献传递
Effects of Thickness on Properties of ZnO Films Grown on Si by MOCVD
2005年
High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃. The effects of the thickness of the ZnO films on crystal structure, surface morphology,and optical properties are investigated using X-ray diffraction, scanning probe microscopy,and photoluminescence spectra, respectively. It is shown that the ZnO films grown on Si substrates have a highly-preferential C-axis orientation,but it is difficult to obtain the better structural and optical properties of the ZnO films with the increasing of thickness. It is maybe due to that the grain size and the growth model are changed in the growth process.
沈文娟王俊段垚王启元曾一平
SOI结构γ-Al2O3/Si界面处碳、氧沾污处理和俄歇分析
本文主要讨论了在γ-Al<,2>O<,3>结构材料界面处出现的碳、氧沾污问题,经过相应工艺改进,做Si衬底清洁处理后,通过俄歇分析证明,取得良好的结果.
王俊谭利文邓惠芳王建华王启元
关键词:SOI材料俄歇分析
文献传递
MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜(英文)被引量:2
2006年
采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长。由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV。
沈文娟王俊王启元段垚曾一平
关键词:金属有机化学气相沉积光致发光ZNO
Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
报道了一种改进该征吸末技术-低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中,用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火替代常规的长时间低温恒温退火,应用于直拉(CZ)重掺N型硅补底片,明显增加了氧沉淀...
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
关键词:氧沉淀
新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
2003年
异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质SOI材料Si/γ-Al2O3/Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能。测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延SOI结构材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3与Si外延薄膜均为单晶,γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该SOI材料可应用于CMOS电路的研制。
王启元谭利文王俊郁元桓林兰英
关键词:SOI材料LPCVDAPCVD晶体生长EOS
CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量:2
2001年
报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .
王启元林兰英何自强龚义元蔡田海郁元桓何龙珠高秀峰王建华邓惠芳
关键词:CMOS集成电路
利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
本发明一种利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,其特征包括如下步骤:步骤1:选取一衬底;步骤2:在衬底(001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法高温生长氧化铝薄膜;步骤3:在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。
沈文娟曾一平王启元王俊
文献传递
在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在衬底硅(001)晶面上,采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜;(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方法生长...
沈文娟曾一平王启元王俊
文献传递
半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法
一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法,利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂,对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀,形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形,包括如下步骤:取一半导体硅单晶衬底;在半导体硅单晶衬底上外延生长氧...
王启元王俊王建华
文献传递
共4页<1234>
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