邵剑波
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华中师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- GdCo系薄膜的制备及其磁光性能研究
- 本文运用射频磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了一系列的GdCo单层膜和GdCo/TbFeCo双层膜。研究了溅射工艺参数值对GdCo单层膜和GdCo/TbFeCo双层膜的磁光性能的影响,对比了GdCo单层膜和GdCo/TbF...
- 邵剑波
- 关键词：磁光性能
- 文献传递
- CdCo系薄膜的制备及其磁光性能研究
- 本文运用射频磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了一系列的GdCo单层膜和GdCo/TbFeCo双层膜。研究了溅射工艺参数值对GdCo单层膜和GdCo/TbFeCo双层膜的磁光性能的影响，对比了GdCo单层膜和GdCo/TbF...
- 邵剑波
- 关键词：磁光性能射频磁控溅射物相分析
- 文献传递
- 溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm,溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力达到5966 Oe,克尔角为0.413°.
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能溅射功率
- 溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°。
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波朱宏生章平
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能
