郭继花
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 热辅助记录——新型超高密度记录方式的原理与研究进展被引量：3
- 2009年
- 磁记录是当今信息社会主要的信息记录方式。本文综述了热辅助新型光磁混合记录介质的研究状况以及最新进展情况,重点介绍了垂直磁记录和光磁混合记录的原理和优缺点比较,并对光磁混合记录介质的发展前景进行了展望。
- 冯小源郭继花黄致新
- 关键词：垂直磁记录记录介质
- GdTbFeCo系薄膜的制备及其磁光性能研究
- 郭继花
- 关键词：磁光性能
- 薄膜垂直磁化的理论形成机理被引量：1
- 2007年
- 要形成垂直磁化膜,必须要有足够强的垂直磁各向异性能,使得由于磁化而产生的退磁场能量不足以让磁化矢量位于膜面内。在垂直磁记录情形下,针对垂直磁各向异性常数Ku、磁化矢量M与外加磁场Hext成θ角的情况进行了理论分析。在满足磁化矢量与外加磁场方向之间的夹角稳定的平衡条件和稳定性条件的基础上,分析得知:只有满足磁各向异性常数Kn大2πM这一关系的物质才可能形成垂直磁化膜。
- 郭继花黄致新张峰崔增丽
- 溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响
- 2008年
- 采用反应射频磁控溅射方法,在氮气和氩气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均晶粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响.XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大,在低功率时薄膜择优[111]方向,在较高功率时薄膜择优[100]方向.紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明:当溅射功率从80 W逐渐增加到120 W时,薄膜的光学能隙从1.85 eV减小到1.41 eV,电阻率从1.45×102Ωcm增加到2.99×103Ωcm.
- 刘敏崔增丽黄致新郭继花张峰
- 关键词：溅射功率
- 溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm,溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力达到5966 Oe,克尔角为0.413°.
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能溅射功率
- 溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°。
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波朱宏生章平
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能
- SmTbFeCo薄膜的制备及磁学性能研究
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对SmTbFeCo薄膜性能的影响。结果表明:溅射气压为0.5Pa、溅射功率为75W、厚度在100nm条件下所溅射形成的SmTbFeCo薄膜磁性最优。
- 王辉郭继花黄致新
- 关键词：射频磁控溅射矫顽力
- Cu3N薄膜的制备与性能研究
- 2009年
- 采用反应射频磁控溅射方法，在玻璃基底上成功制备出了氮化铜（Cu3N）薄膜，并研究了溅射参数对Cu3N薄膜的结构和性能的影响，结果显示，随着溅射功率和氮气分压的增加，氮化铜薄膜的择优取向由（111）方向向（100）方向改变。随着基底温度从70℃增加到200℃，薄膜从Cu3N相变为cu相。紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明，当溅射功率从80W逐渐增加到120W时，薄膜的光学能隙从1．85eV减小到1．41eV，电阻率从1．45× 10^2Ω·cm增加到2．99× 10^3Ω·cm。
- 崔增丽黄致信郭继花
- 关键词：溅射参数物理性能
- 膜厚对GdTbFeCo非晶薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了GdTbFeCo非晶薄膜,通过调节溅射时间制备出了不同厚度的薄膜,并研究了膜厚对薄膜磁光性能的影响。磁光特性测试仪的测试结果表明:溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,可以使GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力和克尔角达到较大值,分别高达4575.476Oe和0.393o。能满足磁光记录材料矫顽力大,磁光克尔角大的要求。
- 朱宏生冯小源朱洪杰林玉郭继花黄致新
- 关键词：磁光记录矫顽力
