达小丽
- 作品数：18 被引量：22H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 波长可调谐垂直腔面发射激光器可动顶DBR的研究与制备
- 本文研究、设计了应用在波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)上的MEMS悬臂梁结构,考虑到悬臂梁自身应力的影响,通过PECVD高低频交替生长的办法改变Si3N4薄膜应力,使多层SiO2和Si3N4薄膜之间的应力减小,...
- 关宝璐郭霞王红航渠红伟达小丽董立敏陈敏沈光地
- 关键词：VCSEL悬臂梁调谐激光器
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- 一种高光提取效率的发光二极管
- 本实用新型属于半导体领域，是一种高光提取效率的发光二极管。传统LED所带高反镜的为平面板式，侧壁的光不能被利用。本实用新型的二极管包括：P电极加厚电极(1)，金属高反镜(3)，P电极欧姆接触层(4)，P型半导体(5)，多...
- 沈光地达小丽郭霞高国
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- 一种高光提取效率的发光二极管及其制备方法
- 本发明属于半导体领域。传统LED所带高反镜的为平面板式，侧壁的光不能被利用。本发明的二极管包括：P电极加厚电极(1)，金属高反镜(3)，P电极欧姆接触层(4)，P型半导体(5)，多量子阱有源区(6)，N电极加厚电极(7)...
- 沈光地达小丽郭霞高国
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- 一种提高半导体发光二极管光提取效率的表面钝化方法
- 本发明涉及半导体发光二极管表面钝化方法，适于多种波长的LED。现用在LED上的钝化层是SiO<Sub>2</Sub>和SiN<Sub>x</Sub>，不能很好改善LED光特性。本发明步骤：已经制备好N电极(5)和P电极(...
- 沈光地达小丽郭霞高国
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- 垂直腔面发射激光器的研制
- 采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分...
- 郭霞董立闽达小丽渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器特性分析半导体激光器
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- 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法
- 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本发明提出在LED外延片上生长I...
- 沈光地达小丽朱彦旭徐晨陈依新黄红娟
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- 复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管被引量：9
- 2007年
- 采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0·6Ga0·4As/AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性,用LP-MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构,测量了其白光反射谱,实验与模拟结果基本符合.制备了采用Al0·6Ga0·4As/AlAs复合DBR的LED器件,未封装输出光功率为2·3mW,外量子效率为5·6%,发光效率可达12lm/W,比常规DBR器件提高了35%.验证了复合DBR与常规DBR相比,可以大幅度提高AlGaInP红光LED的出光效率.
- 于晓东韩军李建军邓军林委之达小丽陈依新沈光地
- 关键词：红光LED金属有机物化学气相淀积光提取效率
- 等离子体处理对GaN发光二极管性能影响
- 2008年
- 为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N_2、N_2O和NH_3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件下,用N_2O等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N_2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH_3等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化.
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- 关键词：光电子半导体材料发光二极管
- 垂直腔面发射激光器温度特性的研究被引量：8
- 2005年
- 借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同温度下VCSEL反射谱和增益谱的模拟结果,对实验曲线进行了很好的分析和解释.估算了连续工作状态下研制的InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器内部温升值,而且还得到了现有工艺条件下满足最低室温工作阈值的谐振腔谐振波长与增益谱峰值波长.
- 渠红伟郭霞董立闽邓军达小丽徐遵图沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器增益谱谐振腔反射谱温度
- 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法
- 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本发明提出在LED外延片上生长I...
- 沈光地达小丽朱彦旭徐晨陈依新黄红娟
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