朱彦旭
- 作品数：81 被引量：68H指数：5
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学社会学经济管理更多>>
- 一种增强型垂直环栅GaN HEMT器件及制备方法
- 本发明公开了一种增强型垂直环栅GaN HEMT器件及制备方法，器件包括：自底向上布置的漏区Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化层、漏电极、n+GaN衬底、n‑GaN缓冲层、p+GaN渐变阶梯埋层、S...
- 朱彦旭王雨涵费宝亮
- 感光栅极GaN基HEMT器件的制备与栅极优化被引量：1
- 2019年
- 铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相结合,成功地制备出了感光栅极GaN基HEMT器件,并在波长为365 nm的光照下进行探测,经大量实验测试后发现器件在该波段的光照下饱和电流达到28 mA,相比无光照时饱和电流提高12 mA。另外,通过合理改变器件结构尺寸,包括器件栅长以及栅漏间距,发现随着栅长的增大,器件的饱和输出电流依次减小,而栅漏间距的变化对阈值电压以及饱和电流的影响并不大。由此可知,改变器件结构参数可以达到提高器件性能的目的并且可以提高探测效率。
- 朱彦旭李赉龙白新和宋会会石栋杨壮杨忠
- 关键词：高电子迁移率晶体管光伏效应
- 具有整体供电方式的LED灯具
- 具有整体供电方式的LED灯具，属于LED照明领域。其包括可提供恒定电流的驱动电源，灯具支架，托盘，灯罩，灯头，直流LED光源。通过导线将所有LED发光源以串联或串并联的方式连接起来。本发明提供的集成高效节能LED灯具，可...
- 郭伟玲吴国庆朱彦旭崔德胜
- 文献传递
- AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化
- 2012年
- 利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模。最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层。通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件。测量了器件的光强、光功率以及I-V曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3%。
- 朱彦旭邓琛徐晨邢艳辉
- 关键词：粗化磷化镓自组装
- 一种感光栅GaN基高电子迁移率晶体管紫外探测器被引量：3
- 2021年
- 利用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和铁电体的光伏效应机制,制备了一种新型(光敏感层/HEMT)光探测器件。主要研究了复合薄膜和溅射气氛对光敏感薄膜的光伏性能以及对新型感光栅极探测器的光探测能力的影响。结果表明,PZT/ZnO复合薄膜的量子效率峰值达到14.55%;有氧氛围下制备的PZT薄膜剩余极化强度达到52.31μC/cm^(2);沉积PZT/ZnO复合薄膜的探测器在紫外光照下相比于暗场下的源漏饱和电流最多增加12.64mA。可见,所制备的新型探测器对紫外光具有优良的探测能力,为光探测的研究提供了新的方向。
- 朱彦旭杨壮李赉龙杨忠李锜轩
- 关键词：氮化镓铁电体光伏效应紫外光光探测器
- 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器
- 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接...
- 徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭解意洋荀孟
- 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法
- 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退...
- 徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭毛明明解意洋郑雷
- 文献传递
- 一种基于氮化镓材料的光继电器
- 本发明公开了一种基于氮化镓材料的光继电器，整个光继电器内部器件的制备方式是是氮化镓发光器件、氮化镓光电转换器件和氮化镓高电子迁移率晶体管制备于三个独立芯片，而后进行封装集成；相比较传统基于Si基器件的半导体继电器来说，基...
- 郭伟玲郭浩蔺天宇程海娟朱彦旭
- 文献传递
- GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)
- 2021年
- 5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向。
- 朱彦旭李锜轩谭张杨李建伟魏昭王猜
- 关键词：光电探测器异质结场效应晶体管紫外探测器表面声波探测率表面态
- 基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展被引量：4
- 2016年
- GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器,对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结;而后,着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度,阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展,其中,从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器;最后,探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。
- 朱彦旭王岳华宋会会李赉龙石栋
- 关键词：ALGAN/GAN异质结2DEG栅结构光探测器
