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刘建朋

作品数:13 被引量:24H指数:4
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家科技支撑计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇电子型
  • 4篇微显示
  • 4篇刻蚀
  • 4篇半导体
  • 3篇光电
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 3篇干法刻蚀
  • 3篇GAN基LE...
  • 3篇LED
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电压
  • 2篇电子器件
  • 2篇多量子阱
  • 2篇有源
  • 2篇阵列器件
  • 2篇微阵列
  • 2篇隔离沟槽
  • 2篇工作电压

机构

  • 13篇北京工业大学
  • 1篇中国联通

作者

  • 13篇刘建朋
  • 11篇朱彦旭
  • 9篇郭伟玲
  • 6篇丁艳
  • 4篇曹伟伟
  • 3篇吴国庆
  • 2篇邓叶
  • 2篇俞鑫
  • 2篇李翠轻
  • 1篇徐晨
  • 1篇白俊雪
  • 1篇闫薇薇
  • 1篇闫微微
  • 1篇樊星
  • 1篇崔德胜

传媒

  • 4篇发光学报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2013
  • 6篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
人体模式静电对GaN基蓝光LED载流子运动及其可靠性的影响被引量:5
2012年
对GaN基蓝光发光二极管(LED)分别施加-400,-800,-1 200,-1 500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量LED样品电学参数和光学参数的变化,从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。实验发现:对GaN基蓝光LED进行人体模式下的静电打击后,其I-V特性曲线发生变形,光通量减小,老化时性能衰减的速率加快,这是由于受静电打击后在LED芯片内部产生了二次缺陷和熔融通道。对LED在不同温度下进行了I-V特性曲线的测量。实验结论认为未受静电打击的LED中浅能级离化占主导地位,受静电打击的LED中深能级离化占主导地位。静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的LED性能退化。
吴国庆郭伟玲朱彦旭刘建朋
关键词:LED静电可靠性
一种LED显示微阵列及其制备方法
本发明涉及一种LED微显示阵列及其制备方法,属半导体照明技术领域,其包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、插入层、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。采用干法刻蚀外...
郭伟玲丁艳朱彦旭刘建朋
文献传递
一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法
本发明涉及一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法,所述显示阵列包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。所述方法采用干法刻蚀外延层...
郭伟玲丁艳朱彦旭刘建朋
文献传递
不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响被引量:4
2013年
电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6%。
曹伟伟朱彦旭郭伟玲刘建朋俞鑫邓叶徐晨
关键词:发光二极管(LED)光效
GaN基高压LED的设计和制备
发光为二极管(LED)具有高效、环保和寿命长的特点,因而得到了广泛的发展。特别是由于白炽灯逐渐退出照明的市场,给LED带来了无限的发展空间。高压LED以具有工作电压高,驱动电流小的特点,成为了白炽灯的取代品。由于国内真正...
刘建朋
关键词:氮化镓互连工艺版图设计光提取效率
一种LED显示微阵列及其制备方法
本发明涉及一种LED微显示阵列及其制备方法,属半导体照明技术领域,其包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、插入层、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。采用干法刻蚀外...
郭伟玲丁艳朱彦旭刘建朋
文献传递
驱动电流对大功率白光LED荧光粉转换效率的影响被引量:4
2012年
对4种1W白光功率LED进行了100~900mA的变驱动电流光学特性试验。分析了荧光粉转换效率随驱动电流变化的内在机理,一是由于驱动电流增大导致蓝光芯片内量子限制斯塔克效应引起峰值波长蓝移,致使蓝光与荧光粉的匹配程度降低;二是由于驱动电流增大导致器件温度升高,荧光粉的非辐射增多,且其激发态能级分裂加剧,导致部分能量降低,黄光波长出现红移现象。通过分析上述两种因素的综合作用,得出了荧光粉转换效率随驱动电流变化的规律,并据此提出改进白光LED驱动电流特性的建议。
吴国庆郭伟玲朱彦旭刘建朋崔德胜闫薇薇
关键词:荧光粉电流LED大功率
具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性(英文)被引量:2
2013年
研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层。每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156,3.282,3.284 V,略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105,3.205,3.210 V).但是,具有电流阻挡层的LED的光效和光功率要优于无电流阻挡层的器件,在20 mA下的光功率分别提高了10.20%、12.19%和11.49%。这些性能的提升都要归功于电流阻挡层良好的电流扩展效应,同时电流阻挡层还可以减小p电极下的寄生光吸收。
郭伟玲俞鑫刘建朋樊星白俊雪
关键词:LED光功率光效
ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响被引量:1
2013年
在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。
朱彦旭范玉宇曹伟伟邓叶刘建朋
关键词:氮化镓
一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管
本发明涉及半导体光电子器件领域,具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本发明包括电极,高光提取的窗口层结构,接触层,限制层,多量子阱有源区;电极,高光提取的窗口层结构,限制层,多量子阱有源区,限制层,接触层...
朱彦旭刘建朋李翠轻曹伟伟丁艳
文献传递
共2页<12>
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