胡伯清
- 作品数：20 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
- 碳化硅晶体制备技术
- 陈小龙吴星胡伯清李龙远彭同华王皖燕倪代秦鲍慧强张贺刘春俊王波王文军许燕萍朱丽娜
- 碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料，在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值，因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料
- 碳化硅（SiC）晶体产业化
- 2004年
- 胡伯清
- 关键词：晶体生长半导体材料
- 一种SiC单晶生长压力自动控制装置
- 本发明公开了一种SiC单晶生长压力自动控制装置，该装置包括真空室、进气气源、真空泵、变频器、控制单元，进气气源通过管道与真空室上的进气口相连，真空泵通过管道与真空室上的抽气口相连，采用压力传感器来测量真空室内压力，控制单...
- 陈小龙吴星李河清倪代秦胡伯清
- 文献传递
- SiC晶体多型界面处的微结构分析
- 朱丽娜杨慧彭同华倪代秦胡伯清陈小龙
- 文献传递
- LiTaO_3∶Ti 晶体光学、热电、介电和压电性能
- 1992年
- 本文研究了用提拉法生长的 LiTaO_3∶Ti 非计量比晶体的成分、结构、吸收光谱、折射率、热电、介电和压电性能,并把某些结果与 LiTaO_3晶体的有关性能作了比较。
- 王公堂舒启茂胡伯清张道范周棠朱镛
- 关键词：掺钛钽酸锂热电系数
- PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究
- 本文研究了物理气相传输方法(PVT)生长的SiC晶体缺陷。SiC晶体在熔融KOH腐蚀后,用光学显微镜和扫描电镜进行观察发现了新缺陷,包括4H-SiC晶体中的三角形腐蚀坑、浅六角形腐蚀坑和具有枝晶结构的硅包裹物。具有枝晶结...
- 朱丽娜李河清胡伯清吴星陈小龙
- 关键词：碳化硅晶体缺陷多型性微管
- 文献传递
- SiC单晶生长的研究
- 以碳化硅(SiC)及GaN为代表的宽禁带材料,是继Si和GaAS之后的第三代半导体。与Si相比,SiC具有宽禁带(Si的2～3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高击穿场强(Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(Si的2.5...
- 陈小龙倪代秦李河清吴星胡伯清
- 文献传递
- PVT法SiC单晶生长传热分析(英文)被引量：1
- 2004年
- 研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为 ,以优化生长条件、获得高质量单晶。该研究是针对坩埚盖 (籽晶粘附于坩埚盖上 )和炉盖之间的传热行为进行的。研究认为 ,坩埚盖上部石墨毡开孔形状和大小对坩埚盖的径向温度场有很大影响。采用本文简化的模型可以估算坩埚在不同位置下、不同的石墨毡开孔形状和大小时坩埚盖和炉盖之间总的辐射热阻和传热量。对影响坩埚盖和炉盖之间传热的因素进行了讨论。另外 ,讨论了在生长过程中动态调整坩埚盖散热条件的可行性。
- 李河清倪代秦吴星胡伯清朱丽娜陈小龙
- 关键词：SIC晶体生长碳化钙坩埚传热量
- 钽铝酸锶镧单晶的光学性能被引量：1
- 2000年
- 钽铝酸锶镧 (LSATO)单晶是一种新型的高温超导薄膜基片材料 ,在室温下为四方结构。它与常用作高温超导薄膜基片材料的LaAlO3 晶体相比 ,由于LaAlO3 晶体在大约 5 0 0℃时 ,发生从高温理想的钙钛矿结构 (点群m3m)转变为菱面体结构 (点群 3m)而形成孪晶 ,产生铁弹畴 ,致使外延生长在其上的超导薄膜质量下降。而LASAT晶体在室温为四方相 ,不存在铁弹畴 ,点阵常数接近YBa2 Cu3 O7(YBCO) ,它与YBCO有良好的晶格匹配 ,有利于超导薄膜的外延生长。我们用提拉法成功地生长出尺寸约为2 0× 5 0mm的LSATO晶体。我们采用了棱镜分光法 ,在读数为 2″的精密测角仪上 ,测定了晶体在可见波段 ( 0 .40 47～ 0 .6 943μm)的折射率 ,棱镜顶角为 2 6°35′5 8″,长直角边为 9.4mm ,高为 9.2mm ,共测了 1 3条谱线的折射率 ,用最小二乘方方法 ,使实验数据拟合于Sellmeier色散方程 ,得到了室温下晶体的色散曲线。同时我们也比较了晶体经氧化气氛和还原气氛处理后的晶体折射率的变化。我们在Cary_2 390型分光光度计上测量了从紫外至近红外波段 ,LSATO晶体退火前后的透过率。从曲线上看出晶体经退火后吸收边的形状更好了。此外我们也测量了常温下晶体的低频介电性能。
- 周棠赵宗源胡伯清王晓明张道范吴星
- 关键词：光学性能介电性能
- 一种SiC单晶晶片的加工方法
- 本发明提供了一种通过机械研磨和化学抛光获得高质量单晶碳化硅表面的方法。该方法通过双面研磨、单面摆臂式粗磨、单面摆臂式精磨、单面摆臂式化学机械抛光，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷和损伤层，...
- 张贺胡伯清黄青松王锡明陈小龙彭同华
