倪代秦
- 作品数：38 被引量：13H指数：2
- 供职机构：北京中材人工晶体研究院有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种硼化钇单晶的生长方法
- 本发明涉及一种单晶的熔盐籽晶提拉生长方法,包括原料合成,熔料,下籽晶及生长四个环节。以金属Y作助熔剂,采用定向籽晶,籽晶以1－10℃/h的速度降温生长,并配以1－25转/分的转速及1－20mm/h的提拉速度。用此方法可稳...
- 宋有庭吴星倪代秦
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- 一种周期极化晶体的生长方法
- 本发明公开了一种周期极化晶体生长方法，该方法以金属片加热区熔法为基础，利用金属片加热体的导电良好及热惯性很小的特点，采用计算机通讯技术，在金属片两端施加周期性电学信号，使金属片的温度在生长区产生周期性起伏，在这种周期性温...
- 王皖燕陈小龙张道范吴星倪代秦
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- 一种周期极化晶体的生长方法
- 本发明公开了一种周期极化晶体生长方法，该方法以金属片加热区熔法为基础，利用金属片加热体的导电良好及热惯性很小的特点，采用计算机通讯技术，在金属片两端施加周期性电学信号，使金属片的温度在生长区产生周期性起伏，在这种周期性温...
- 王皖燕陈小龙张道范吴星倪代秦
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- 加籽晶升华法生长SiC单晶过程中料石墨化影响因素的研究
- 加籽晶升华法是迄今为止生长SiC单晶最成熟的方法。采用石墨坩埚时,料发生石墨化是造成生长不稳定性的重要因素之一。料发生石墨化将可能伴随生长晶体的石墨化,造成微管、位错和多型结构形成,并使生长速率大大降低。本文研究了生长温...
- 李河清陈小龙倪代秦吴星
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- 异型加热片区熔生长晶体的方法
- 本发明公开了一种用异型加热片区熔生长晶体的方法。由夹持在水冷电极上的异型加热片通电产生高温，熔化料棒和籽晶的端部，形成熔区；分别控制其旋转/拉送的料棒和籽晶一起向籽晶一侧运动，从而熔化料棒，长成晶体。本方法继承了区熔法容...
- 倪代秦吴星宋有庭
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- 金属片加热区熔法生长氧化物晶体
- 该文全面概述了常见的各种晶体生长方法,其中对浮区区熔法的理论、方法与应用作了详细介绍.在分析目前常规方法生长某些氧化物晶体时碰到的困难和问题的基础上,提出金属片加热区熔法.建立了起了分别在空气和真空中工作的两套金属片加热...
- 倪代秦
- 关键词：晶体生长氧化物晶体
- 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
- 本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
- 陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
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- 多孔石墨对碳化硅晶体生长影响的数值模拟研究
- 2023年
- SiC是新一代射频器件和功率器件的理想材料,电阻式物理气相传输法由于具有温度均匀性,成为生长大尺寸SiC单晶的有效方法。近年来,多孔石墨等的使用提高了SiC晶体的质量和产量,而关于其机理的研究却相对较少。本文使用数值模拟的方法系统研究了多孔石墨对SiC晶体生长的影响,并进行了晶体生长验证。模拟结果表明:多孔石墨的使用提高了原料区域的温度及温度均匀性,增大了坩埚内轴向温差,对减弱原料表层的重结晶也具有一定作用;在生长腔内,多孔石墨改善了物质流动在整个生长过程中的稳定性,提高了生长区域的C/Si比,有助于减小相变发生概率,同时多孔石墨对晶体界面也起到改善作用。晶体生长结果实际验证了多孔石墨在提高传质均匀性、降低相变发生率和改善晶体外形上的作用。本文结果对于理解多孔石墨的作用机理以及改善SiC晶体生长条件具有实际意义。
- 李荣臻赵小玻魏华阳李丹周振翔倪代秦李勇李宏凯林清莲
- 关键词：碳化硅多孔石墨数值模拟晶体生长电阻加热
- 物理气相传输法合成AlN单晶性能表征
- 2023年
- 采用物理气相传输(PVT)法通过同质外延生长获得14 mm×12 mm的AlN单晶样品。对样品进行切割、研磨、化学机械抛光处理后,采用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、光致发光光谱仪对样品进行测试表征。拉曼测试结果表明,晶体中心区域的拉曼光谱E_(2)(high)声子模的半峰全宽为3.3 cm^(-1),边缘区域E_(2)(high)声子模的半峰全宽为4.3 cm^(-1),晶体呈现较高的结晶质量。XRD摇摆曲线表征结果显示,外延生长后的晶体中心和边缘区域的摇摆曲线半峰全宽增大至100″和205″,表明晶体内存在缺陷。XPS测试结果表明,晶体内存在C、O、Si杂质元素,杂质的原子数分数分别为0.74%、1.43%、2.14%,晶体内发现以氧杂质为主的Al—O、N—Al—O等特征峰。光致发光光谱测试结果显示,晶体内存在V_(Al)-O_(N)复合缺陷和V_(Al)点缺陷。
- 周振翔陈宁李丹李丹倪代秦陈建荣倪代秦李荣臻陈建荣
- 关键词：氮化铝
- 一种硼化钇单晶的生长方法
- 本发明涉及一种单晶的熔盐籽晶提拉生长方法，包括原料合成，熔料，下籽晶及生长四个环节。金属Y作助熔剂，原料溶质YB<Sub>2</Sub>和助熔剂Y的摩尔比为3∶2～9∶1，采用定向籽晶，籽晶以1-10℃/h的速度降温生长...
- 宋有庭吴星倪代秦
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