- 一种碳化硅晶体生长装置
- 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带...
- 陈小龙吴星李河清倪代秦胡伯清李金成
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- 一种SiC单晶生长压力自动控制装置
- 本发明公开了一种SiC单晶生长压力自动控制装置，该装置包括真空室、进气气源、真空泵、变频器、控制单元，进气气源通过管道与真空室上的进气口相连，真空泵通过管道与真空室上的抽气口相连，采用压力传感器来测量真空室内压力，控制单...
- 陈小龙吴星李河清倪代秦胡伯清
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- 一种SiC单晶生长压力自动控制装置
- 本发明公开了一种SiC单晶生长压力自动控制装置，该装置包括真空室、进气气源、真空泵、变频器、控制单元，进气气源通过管道与真空室上的进气口相连，真空泵通过管道与真空室上的抽气口相连，采用压力传感器来测量真空室内压力，控制单...
- 陈小龙吴星李河清倪代秦胡伯清
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- 加籽晶升华法生长SiC单晶过程中料石墨化影响因素的研究
- 加籽晶升华法是迄今为止生长SiC单晶最成熟的方法。采用石墨坩埚时,料发生石墨化是造成生长不稳定性的重要因素之一。料发生石墨化将可能伴随生长晶体的石墨化,造成微管、位错和多型结构形成,并使生长速率大大降低。本文研究了生长温...
- 李河清陈小龙倪代秦吴星
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- PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究
- 本文研究了物理气相传输方法(PVT)生长的SiC晶体缺陷。SiC晶体在熔融KOH腐蚀后,用光学显微镜和扫描电镜进行观察发现了新缺陷,包括4H-SiC晶体中的三角形腐蚀坑、浅六角形腐蚀坑和具有枝晶结构的硅包裹物。具有枝晶结...
- 朱丽娜李河清胡伯清吴星陈小龙
- 关键词：碳化硅晶体缺陷多型性微管
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- SiC单晶生长的研究
- 以碳化硅(SiC)及GaN为代表的宽禁带材料,是继Si和GaAS之后的第三代半导体。与Si相比,SiC具有宽禁带(Si的2～3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高击穿场强(Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(Si的2.5...
- 陈小龙倪代秦李河清吴星胡伯清
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- PVT法SiC单晶生长传热分析(英文)被引量：1
- 2004年
- 研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为 ,以优化生长条件、获得高质量单晶。该研究是针对坩埚盖 (籽晶粘附于坩埚盖上 )和炉盖之间的传热行为进行的。研究认为 ,坩埚盖上部石墨毡开孔形状和大小对坩埚盖的径向温度场有很大影响。采用本文简化的模型可以估算坩埚在不同位置下、不同的石墨毡开孔形状和大小时坩埚盖和炉盖之间总的辐射热阻和传热量。对影响坩埚盖和炉盖之间传热的因素进行了讨论。另外 ,讨论了在生长过程中动态调整坩埚盖散热条件的可行性。
- 李河清倪代秦吴星胡伯清朱丽娜陈小龙
- 关键词：SIC晶体生长碳化钙坩埚传热量
- 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
- 本发明公开了一种物理气相传输生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖和坩埚各自所处温场中的位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的温度差不变。也可为：在...
- 陈小龙吴星倪代秦李河清胡伯清
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- 一种碳化硅晶体生长装置
- 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带...
- 陈小龙吴星李河清倪代秦胡伯清李金成
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- 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
- 本发明公开了一种物理气相传输生长碳化硅单晶的方法，其步骤为：①保持与现有技术同样的状态参数及控制方式不变；②在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖和坩埚各自所处温场中的位置，以保持埚盖上晶体...
- 陈小龙吴星倪代秦李河清胡伯清
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