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文献类型

  • 33篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 17篇电路
  • 14篇薄膜电路
  • 10篇光刻
  • 8篇电路图形
  • 7篇陶瓷
  • 5篇电阻
  • 4篇电镀
  • 4篇电阻阻值
  • 4篇热氧化
  • 4篇阻值
  • 4篇微波
  • 4篇基片
  • 4篇光刻胶
  • 4篇薄膜电阻
  • 4篇THZ
  • 3篇电容
  • 3篇电容器
  • 3篇太赫兹
  • 3篇陶瓷电容
  • 3篇陶瓷电容器

机构

  • 35篇中国电子科技...

作者

  • 35篇王进
  • 33篇马子腾
  • 20篇许延峰
  • 6篇刘金现
  • 6篇孙毅
  • 2篇葛新灵
  • 2篇孙建华
  • 2篇杨超
  • 2篇王斌
  • 2篇宋振国
  • 2篇李鸽
  • 2篇阴磊
  • 1篇胡莹璐
  • 1篇曹乾涛
  • 1篇王飞
  • 1篇路波
  • 1篇朱云东
  • 1篇李小玲
  • 1篇许延峰

传媒

  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 7篇2017
  • 7篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法
本发明提出了一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法,包括以下步骤:步骤(a)在介质基片上形成金导体薄膜电路;步骤(b)在所述金导体薄膜电路表面涂覆正性光刻胶膜层;步骤(c)通过曝光、显影的方法定义出铝丝键合区域;步骤(...
马子腾葛新灵王进
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一种薄膜衰减片的制作方法
本发明提出了一种薄膜衰减片的制作方法,包括以下步骤:采用真空溅射的方法实现介质基材表面金属化;采用光刻工艺形成衰减片图形;电镀高纯软金,加厚导体电路;通过加热的办法对整片衰减片电路进行热氧化调阻;使用光刻胶在衰减片的抗击...
马子腾王进许延峰朱云东
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带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路
本发明公开了带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路。其中,带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,包括步骤(1):在带有超薄介质的第一衬底上,采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路;步骤(2)...
许延峰王进马子腾
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一种金箔裁切方法
本发明提供一种金箔裁切方法,其包括以下步骤:在金箔的一面涂覆一层光刻胶,使用胶带把金箔粘接到一个支撑的玻璃基片上,然后采用光刻的方法在金箔上得到抗蚀剂图形,通过湿法腐蚀的方法把金箔腐蚀分割开来。再用丙酮软化胶带使金箔与胶...
王进刘金现马子腾
一种金箔裁切方法
本发明提供一种金箔裁切方法,其包括以下步骤:在金箔的一面涂覆一层光刻胶,使用胶带把金箔粘接到一个支撑的玻璃基片上,然后采用光刻的方法在金箔上得到抗蚀剂图形,通过湿法腐蚀的方法把金箔腐蚀分割开来。再用丙酮软化胶带使金箔与胶...
王进刘金现马子腾
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牺牲层粘接的单层陶瓷电容器砂轮划片工艺被引量:1
2017年
单层陶瓷电容器电路尺寸小,加工精度高,划切过程中电容脱落、崩裂控制是加工制作的难点。通过对电容划切过程中脱落、崩裂问题进行详细的分析总结,找出问题所在。重点介绍了一种强力胶粘接,牺牲层剥离的划切技术方法。通过试验结果表明该技术能够很好解决单层陶瓷电容器划切脱落、崩裂问题,提高了单层陶瓷电容器的划切品质和良品率。
王进许延峰马子腾宋振国
关键词:粘接
一种微波薄膜电路的刻蚀方法
本发明提出了一种微波薄膜电路的刻蚀方法,包括以下步骤:步骤(a),提供一种介质基片;步骤(b),采用真空溅射镀膜的方法在所述介质基片上形成一层复合金属膜层;步骤(c),采用光刻的方法在所述介质基片上附着上一层光刻胶,并去...
王进马子腾刘金现
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一种微波薄膜电阻制造方法
本发明提出了一种微波薄膜电阻制造方法,包括以下步骤:步骤(101)、分类电阻,把电阻分成低精度电阻和高精度电阻;步骤(102)、低精度电阻采用高方阻设计;步骤(103)、高精度电阻采用低方阻设计;步骤(104)、绘制电阻...
王进马子腾许延峰
一种基于牺牲层的微型薄膜电路划切方法
本发明提出了一种基于牺牲层的微型薄膜电路划切方法,其解决了微型薄膜电路划切脱落的难题,减少了电路边缘划切崩裂现象的发生,同时能够改善划切电路边缘电路导带的翘曲,提高电路的划切品质。该划切方法包括以下步骤:提供一整片至少有...
王进刘金现马子腾孙建华杨超
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基于3D化学成型技术的太赫兹器件加工
2015年
随着工作频率的提高,微波器件的尺寸逐渐减小,特别是在太赫兹频段,很多尺寸精度已经突破传统机械加工设备的极限。本文利用3D化学成型技术,加工太赫兹器件中关键零件。以定向耦合器为例,进行了设计和制造。定向耦合器在325GHz到500GHz频率范围内,直通插入损耗约3d B,耦合度为20d B。这表明3D化学成型技术在太赫兹器件加工中具有很好的应用前景。
许延峰王进马子腾邓建钦李小玲
关键词:太赫兹光刻电铸定向耦合器
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