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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇多孔硅
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇发光机理
  • 1篇GD
  • 1篇掺杂
  • 1篇TB

机构

  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇姜宁
  • 1篇彭爱华
  • 1篇张志敏
  • 1篇李鹏
  • 1篇谢二庆
  • 1篇贺德衍

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2003
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究被引量:11
2003年
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Tb ,Gd)离子的化学掺杂 .利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性 .用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌 .用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .结果表明 ,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度 ,并且发光峰位出现蓝移 .这是由于Tb3+ 的 4f能级5D4 —7F3,5D4 —7F2 和5D4 —7F0 的跃迁发光引起的 .而在掺入Gd情况下 ,则观察到蓝光发射 .初步分析了稀土掺杂多孔硅的发光机理 .
彭爱华谢二庆姜宁张志敏李鹏贺德衍
关键词:稀土掺杂多孔硅光致发光发光机理
共1页<1>
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