姜宁
- 作品数：7 被引量：16H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 稀土硅化物的制备及其特性研究
- 稀土金属硅化物具有很高的电导率和良好的热稳定性,在电学方面有很广阔的应用前景,同时,Si中稀土离子的掺杂也是探索高效发光Si基材料的重要途径之一.该论文就是针对这两方面开展工作的.一部分研究了稀土硅化物薄膜的制备及其微结...
- 姜宁
- 关键词：电学性质发光特性
- 文献传递
- 离子束合成的钇硅化物结构相变研究
- 2003年
- 为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红外光辐照处理30min后YSi2呈现出择优结晶取向.从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现,当温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相YSi.YSi/YSi2的相转变出现在240°C,随温度的进一步升高,Y原子完全与Si原子发生反应,形成了结晶取向良好的六方相YSi2.
- 王文武姜宁谢二庆贺德衍
- 关键词：单晶硅X射线衍射超大规模集成电路
- 稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究被引量：11
- 2003年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Tb ,Gd)离子的化学掺杂 .利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性 .用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌 .用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .结果表明 ,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度 ,并且发光峰位出现蓝移 .这是由于Tb3+ 的 4f能级5D4 —7F3,5D4 —7F2 和5D4 —7F0 的跃迁发光引起的 .而在掺入Gd情况下 ,则观察到蓝光发射 .初步分析了稀土掺杂多孔硅的发光机理 .
- 彭爱华谢二庆姜宁张志敏李鹏贺德衍
- 关键词：稀土掺杂多孔硅光致发光发光机理
- 锰硅化物的固相反应生长研究被引量：5
- 2002年
- 报道了利用固相反应方法在单晶Si(10 0 )衬底上制备锰硅化物薄膜 .实验发现 ,样品在固相反应过程中经历了两种相转变 ,即反应温度为 45 0℃时形成了立方相MnSi,达到 5 5 0℃时形成了四方相MnSi1 73 .随着反应温度的提高 ,薄膜呈现取向生长 .利用四探针法对固相反应过程中化合物薄层方块电阻的原位测量表明 ,立方相开始形成的温度约为 410℃ ,由立方相向四方相转变的起始温度约为 5 30℃ .
- 谢二庆王文武姜宁贺德衍
- 关键词：固相反应红外光谱薄膜生长
- 钇硅化物的合成及相变研究
- 2002年
- 利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160℃时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240℃则对应着YSi-YSi2的相转变点。
- 谢二庆王文武姜宁贺德衍
- 关键词：离子注入相变电学性能
- 离子束合成的钇硅化物结构相变研究
- 利用离子注入方法在Si(111)衬底上制备出钇硅化物,并对其结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在注入过程中已形成了部分六方相YSi <,2>,退火后YSi <,2>呈现择优取向.从退火过程中原位测量样品的方块电阻发...
- 王文武姜宁谢二庆贺德衍
- 关键词：离子注入固相反应电阻测量
- 文献传递
- 稀土硅化物YbSi<,2-x>的固相外延及原位电阻率测量
- 用共蒸发方法将高纯稀土金属镱和多晶硅材料以原子比1:2蒸发在单晶硅和SiO<,2>衬底上得到了非晶稀土硅化物,然后对其进行红外退火和原位电阻率测量.用2.5MeV<'+>Li<'-7>背散射技术确定了材料中的成分及其分布...
- 王文武谢二庆张亚涛姜宁贺德衍
- 关键词：固相外延生长
- 文献传递
