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贺德衍

作品数:121 被引量:391H指数:11
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 84篇期刊文章
  • 21篇专利
  • 16篇会议论文

领域

  • 66篇理学
  • 25篇电子电信
  • 17篇一般工业技术
  • 6篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇机械工程
  • 3篇电气工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇硅薄膜
  • 10篇纳米
  • 10篇薄膜生长
  • 8篇电池
  • 8篇电子发射
  • 8篇金刚石薄膜
  • 8篇化学气相
  • 8篇化学气相沉积
  • 8篇计算机
  • 8篇计算机模拟
  • 8篇场电子发射
  • 7篇溅射
  • 6篇电特性
  • 6篇多晶
  • 6篇气相沉积
  • 6篇离子
  • 6篇离子注入
  • 6篇金刚石
  • 6篇刚石
  • 5篇电极

机构

  • 121篇兰州大学
  • 22篇北京工业大学
  • 6篇兰州交通大学
  • 6篇湛江师范学院
  • 5篇中国科学院近...
  • 4篇中国科学院兰...
  • 3篇中国科学院
  • 3篇兰州城市学院
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 2篇兰州理工大学
  • 2篇湛江海洋大学
  • 2篇甘肃省科学院
  • 2篇甘肃省国家税...
  • 1篇东北大学
  • 1篇河北师范大学
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇信州大学
  • 1篇兰州师范高等...

作者

  • 121篇贺德衍
  • 24篇陈光华
  • 22篇谢二庆
  • 10篇王琦
  • 10篇刘德全
  • 10篇邵乐喜
  • 9篇郑小平
  • 9篇张佩峰
  • 7篇许旻
  • 7篇王文武
  • 7篇刘奇明
  • 6篇姜宁
  • 5篇王晓强
  • 5篇刘国汉
  • 5篇林洪峰
  • 5篇付玉军
  • 4篇丁毅
  • 4篇程文娟
  • 4篇张军
  • 4篇马锡英

传媒

  • 20篇物理学报
  • 10篇兰州大学学报...
  • 7篇无机材料学报
  • 5篇Journa...
  • 4篇功能材料
  • 4篇第二届全国金...
  • 4篇第17届全国...
  • 3篇材料科学与工...
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇真空科学与技...
  • 3篇中国科学(G...
  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇科学通报
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇宇航学报
  • 1篇物理

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 8篇2007
  • 10篇2006
  • 10篇2005
  • 9篇2004
  • 12篇2003
  • 6篇2002
121 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种纳米间距平面电极的制备方法
本发明公开一种在微电子工程中制备电极的方法。本发明的纳米间距平面电极制备方法是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝,再用基片材料收集电纺丝,使电纺丝附着于基片材料表面上,然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化...
贺德衍刘德全王琦杨丰乔丽秦艳丽
多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制
2000年
本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达~1.0at.%、拉曼特征峰半高宽仅为~4.4 cm-1的poly-Si薄膜.
贺德衍罗靖程文娟
真空蒸发法制备PbI_2多晶薄膜研究被引量:5
2005年
用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)-1,电导激活能为0.78eV.
李玉红张弘李振生李丹民贺德衍
BCN薄膜的射频反应溅射法制备与结构特性
2000年
本文研究以六方BN为靶材,CH4为反应气体,利用射频溅射技术制备BCN三元化合物薄膜.样品的结构由X射线衍射谱、傅立叶变换红外吸收谱和X射线光电子能谱等方法进行表征.实验结果表明样品是具有类石墨涡旋蜂窝状结构的BCN三元化合物.通过改变CH4分压,能够控制薄膜中的C含量:随CH4分压的增高,薄膜中C含量增大,电导率也显著增大.当CH4分压比在10%附近时,样品呈现半导体特性,由电导率-温度关系曲线求得电导激活能约为0.8eV.
岳金顺程文娟蒋钢娟贺德衍陈光华
氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射被引量:3
1999年
本文研究了氮生长掺杂和离子注入掺杂金刚石薄膜的场电子发射性能.测试结果表明,两类样品均显示良好的发射性能,即开启电压低(50~150V)、发射电流大(6~30m A),但它们有不同的发射行为:注入掺杂样品存在发射电流的饱和与滞后、开启电压的前移现象,而生长掺杂样品的发射符合Fow ler-Nordheim 理论.实验还得到了用于生长场发射阴极薄膜的最佳掺杂氮碳流量比为~42% .
邵乐喜谢二庆路永刚贺德衍陈光华
关键词:金刚石薄膜掺杂离子注入场电子发射
纳米金刚石颗粒涂层的场电子发射被引量:13
1999年
金刚石具有优异的电子、机械和化学性能,特别是表面的负电子亲和势(NEA)特征使其成为真空微电子器件的理想冷阴极材料,可望在平面显示器等领域得到广泛的应用.近十年来对天然金刚石、CVD金刚石膜和类金刚石碳(DLC)膜以及它们在Si和Mo等基材上的涂层[...
邵乐喜谢二庆公维宾贺德衍贺德衍
关键词:金刚石涂层场电子发射
基于单分子层模型的ZnO热控涂层电子辐照光学性能退化研究被引量:5
2010年
在分析电子辐照对ZnO类热控涂层光学性能退化机理的基础上,提出了单分子层电子色心产生模型,推导了"色心浓度"表达式及材料光学性能退化随辐照剂量的变化关系。用该理论对100keV电子辐照下S781白漆太阳吸收比变化Δαs的实验数据的拟合结果表明,单分子层模型能够很好地预测ZnO类热控涂层在电子辐照环境下光学特性退化趋势。该理论可扩展应用于其它热控材料在空间不同辐射环境下光学性能退化趋势的预测。
李丹明田恺贺德衍
溶胶-凝胶法制备MgO/(Ba_(0·8)Sr_(0·2))TiO_3多层薄膜及其介电和漏电特性研究被引量:2
2006年
采用改进的溶胶-凝胶方法在LaNiO_3/Si(100)衬底上制备了MgO/(Ba_(0·8)Sr_(0·2))TiO_3多层薄膜.实验结果表明,MgO层的引入改变了(Ba_(0·8)Sr_(0·2))TiO_3的介电特性和漏电流行为,使薄膜的漏电流降低了3个数量级,但介电常数也有相应降低.漏电流的显著降低是由MgO子层的高阻特性以及微量Mg向(Ba_(0·8)Sr_(0·2))TiO_3晶格中扩散造成的.
贾建峰黄凯潘清涛李世国贺德衍
多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制
本文报道有反应气体SiF<,4>和H<,2>的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF<,4>与H<,2>...
贺德衍罗靖程文娟
文献传递
制备Ni3S2纳米管阵列应用于锂离子电池阳极
【引言】正极材料对锂离子电池的综合性能有着重要影响,目前商业化的正极材料由于理论比容量和实际能量密度低,限制了其在大功率器件和电动汽车中的应用。开发具有高比容量的正极材料对提高锂离子电池的性能量具有重要意义。硫化镍由于具...
李丹李秀万杨智博后小毅贺德衍
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