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张亮

作品数：16 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇沟道
  • 4篇SOI_LD...
  • 4篇场板
  • 3篇短路
  • 3篇短路点
  • 3篇氧化层
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇漂移
  • 3篇缓冲区
  • 3篇二极管
  • 2篇电路
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电阻
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声背景
  • 2篇数学模型
  • 2篇随机共振
  • 2篇欧姆接触

机构

  • 16篇杭州电子科技...
  • 1篇国家电网公司
  • 1篇国网浙江省电...
  • 1篇国网浙江省电...

作者

  • 16篇张亮
  • 9篇苏步春
  • 9篇张海鹏
  • 8篇张帆
  • 5篇林弥
  • 4篇牛小燕
  • 2篇徐丽燕
  • 2篇赵文礼
  • 2篇孙玲玲
  • 2篇刘国华
  • 2篇李文钧
  • 2篇王桥医
  • 2篇王林泽
  • 1篇齐瑞生
  • 1篇赵伟立
  • 1篇金乃正
  • 1篇许生根
  • 1篇马里剑
  • 1篇孙维真
  • 1篇徐文杰

传媒

  • 1篇第21届电路...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种无饱和随机共振数学模型的含噪声微弱信号检出电路
本实用新型涉及一种基于无饱和随机共振数学模型的含噪声微弱信号检出电路。本实用新型中的前置求和放大电路包括前置求和放大器U1、第一反向器F1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一可变电阻Rv1、第一...
王林泽张亮赵文礼王桥医
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逆导型SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导...
张海鹏苏步春张亮张帆牛小燕林弥
具有冲突约束的两台平行专用机排序问题
张亮
一种逆导型SOI LIGBT器件单元
本实用新型涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化...
张海鹏苏步春张亮张帆牛小燕林弥
文献传递
一种纵向沟道SOI LDMOS单元
本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、...
张海鹏张帆苏步春张亮牛小燕林弥
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纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法
本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂...
张海鹏苏步春张亮孙玲玲张帆李文钧
一种可控通道开度式空气净化器
本实用新型公开一种可控通道开度式空气净化器，包括一根进气管、与进气管连接的净化管，包括至少两根净化管，其中，至少一根净化管内填充着HEPT滤网，至少一根净化管内固设有活性炭，且任意一根净化管内都设有控制流通风量大小的风阀...
陈家豪林淑雯卢红伟韩新龙李毅峰吴若愚施晴王亚楠吕凡张亮魏锦鸿周欣怡
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基于无饱和随机共振数学模型的含噪声微弱信号检出电路
本发明涉及一种基于无饱和随机共振数学模型的含噪声微弱信号检出电路。本发明中的前置求和放大电路包括前置求和放大器U1、第一反向器F1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一可变电阻Rv1、第一接地电阻...
王林泽张亮赵文礼王桥医
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基于分段随机共振模型的信号处理系统设计及其应用研究
随机共振是上世纪八十年代提出来的一种新的非线性弱信号检测方法。它能够使原始信号和噪声在非线性系统中产生协同作用，最终达到减弱噪声和检测信号的目的。本论文基于分段随机共振模型的信号处理系统开展核心硬件电路的设计、实验及其应...
张亮
关键词：信号处理系统电路设计信噪比噪声强度
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纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法
本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂...
张海鹏苏步春张亮孙玲玲张帆李文钧
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