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苏步春

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇沟道
  • 4篇SOI_LD...
  • 4篇场板
  • 3篇短路
  • 3篇短路点
  • 3篇氧化层
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇漂移
  • 3篇缓冲区
  • 3篇二极管
  • 2篇电路
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电阻
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇热学性能
  • 2篇闩锁
  • 2篇闩锁效应
  • 2篇芯片

机构

  • 11篇杭州电子科技...
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇杭州汉安半导...

作者

  • 11篇苏步春
  • 10篇张海鹏
  • 9篇张亮
  • 8篇张帆
  • 5篇林弥
  • 4篇牛小燕
  • 2篇徐丽燕
  • 2篇孙玲玲
  • 2篇刘国华
  • 2篇李文钧
  • 1篇齐瑞生
  • 1篇赵伟立
  • 1篇许生根
  • 1篇马里剑
  • 1篇徐文杰
  • 1篇陈卫军
  • 1篇王德君
  • 1篇吕韶义

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇第21届电路...

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纵向沟道SOI LDMOS单元
本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、...
张海鹏张帆苏步春张亮牛小燕林弥
文献传递
纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法
本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂...
张海鹏苏步春张亮孙玲玲张帆李文钧
SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
2011年
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合。
苏步春张海鹏王德君
关键词：绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管闩锁效应
逆导型SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导...
张海鹏苏步春张亮张帆牛小燕林弥
抗ESD SOI LIGBT器件的研究
SOI(Silicon On Insulator)技术被誉为二十一世纪高速、低功耗的硅集成电路主流技术，是功率集成电路(Power Inegrated Circuit，PIC)的主要发展方向。SOI横向高压器件是SOI功...
苏步春
关键词：闩锁效应硅集成电路功率集成电路版图设计
文献传递
一种逆导型SOI LIGBT器件单元
本实用新型涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化...
张海鹏苏步春张亮张帆牛小燕林弥
文献传递
集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本实用新型涉及集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极...
张海鹏张亮苏步春张帆刘国华徐丽燕
文献传递
纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法
本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂...
张海鹏苏步春张亮孙玲玲张帆李文钧
文献传递
集成SOI LIGBT/LDMOS器件结构、工艺、设计、虚拟制造与仿真测试
刘国华张亮张海鹏徐丽燕徐文杰朱志远林弥毛建军胡煜涛苏步春许生根赵伟立齐瑞生
发明专利1：针对现有技术的不足将反向续流二极管集成在SOILIGBT器件单元结构之中，使其无需外接任何器件就具有逆向导通能力，能够显著改善SOILIGBT器件速度、可靠性与使用寿命，减小采用该种器件的各种电力电子系统的体...
关键词：
关键词：电力电子系统半导体器件
绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究
射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响.而这类器件依然没有精确、统一的电路模型.因此,基于分支电路模型建立了一种新型SOI LDMOS的大信号电路模型.该模型是一个非线性电路模型,包括了对直流特性的模拟、S...
陈卫军张海鹏吕韶义马里剑张帆苏步春张亮
关键词：直流特性散射参数非线性电路电路模型
文献传递
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