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叶李旺

作品数:33 被引量:11H指数:1
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 27篇晶体
  • 11篇晶体材料
  • 7篇晶系
  • 6篇上板
  • 6篇降温法
  • 5篇晶体生长
  • 5篇KDP
  • 4篇电池
  • 4篇电池材料
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇太阳能电池材...
  • 4篇配合物
  • 4篇柱面
  • 4篇计数率
  • 4篇甲基
  • 4篇功能材料
  • 4篇光电功能材料
  • 4篇KDP晶体
  • 3篇单斜晶系
  • 3篇荧光

机构

  • 30篇中国科学院福...
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇福建师范大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇闽南师范大学

作者

  • 33篇叶李旺
  • 30篇庄欣欣
  • 28篇许智煌
  • 13篇苏根博
  • 6篇吕洋洋
  • 3篇郑国宗
  • 2篇林秀钦
  • 2篇贺友平
  • 2篇李征东
  • 1篇李国辉
  • 1篇胡国行
  • 1篇赵元安
  • 1篇张文彬
  • 1篇庄榕榕
  • 1篇汪剑成
  • 1篇曾爱华
  • 1篇吕洋洋
  • 1篇高晟民
  • 1篇曹有杰
  • 1篇刘刚

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇第14届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种大尺寸CuI晶体的生长方法
本发明提供了一种CuI晶体的生长方法,属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法采用低温水溶液降温法生长晶体,使用NH<Sub>4</Sub>Cl、NH<Sub>4</Sub>Br、NH<Sub>4</Sub>I等为助...
庄欣欣吕洋洋叶李旺许智煌苏根博
文献传递
KDP类晶体生长载晶架、KDP类晶体及生长方法
本发明公开了一种KDP类晶体生长载晶架、KDP类晶体及生长方法,包括:相对平行设置的上板和下板,形成非封闭空间;两个支撑块,分别设置在上板与下板之间的两端位置处且互相平行,两个支撑块的上端与上板固定连接,下端与下板固定连...
叶李旺庄欣欣许智煌王远洁
1,3,5-三苯基苯晶体的溶液降温法生长及其性能
2017年
以丙酮为溶剂,采用溶液降温法生长1,3,5-三苯基苯(TPB)晶体。在40~45℃温区下生长出尺寸为19 mm×15 mm×13 mm的透明块状晶体,生长速率约为3 mm/d。通过X射线衍射、光学显微镜观察、热分析、荧光光谱和脉冲形状鉴别(PSD)测试对晶体进行了表征。结果表明:降温法生长的TPB晶体为正交晶系,空间群为Pna21;TPB单晶各向透明度高,没有宏观缺陷,但在各面上均存在生长花纹。TPB晶体的熔点为174℃,蒸发损失发生在283℃;TPB晶体在360 nm处具有相对尖锐和强的带边发射峰。TPB晶体总品质因数(FOM)值为0.85,表明它具有优异的中子/伽马(n/γ)射线辨别能力。
刘刚许智煌叶李旺苏根博庄榕榕
关键词:丙酮
一种高质量CuI晶体的生长方法
本发明提供了一种CuI晶体的生长方法,属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法使用NH<Sub>4</Sub>Cl、NH<Sub>4</Sub>Br、NH<Sub>4</Sub>I等为助溶剂,铜片作为还原剂,生长温区...
庄欣欣吕洋洋叶李旺许智煌苏根博
文献传递
一种大尺寸CuI晶体的生长方法
本发明提供了一种CuI晶体的生长方法,属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法采用低温水溶液降温法生长晶体,使用NH<Sub>4</Sub>Cl、NH<Sub>4</Sub>Br、NH<Sub>4</Sub>I等为助...
庄欣欣吕洋洋叶李旺许智煌苏根博
文献传递
一种KDP类晶体生长溶液配制装置
本实用新型公开了一种KDP类晶体生长溶液配制装置,包括:配制槽组件,包括槽体、槽盖和位于槽盖顶部的进出料口;搅拌组件,设置在槽盖上并向下延伸至槽体内部,对晶体生长溶液搅拌以促进流动、加快溶质溶解进程;螺旋输运组件,包括第...
叶李旺庄欣欣许智煌
助溶剂NH_4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究被引量:1
2014年
以碘化铵(NH4I)作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体。在50-60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体。采用XRD、综合热分析(TG/DTA)对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃(γ相→β相)和409℃(β相→α相)。利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70%,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰。霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88 cm^2·V^-1·s^-1。
吕洋洋许智煌叶李旺苏根博庄欣欣
关键词:碘化亚铜光致发光迁移率
一种限制KDP类晶体柱面生长的载晶架及其应用
本发明属于晶体生长技术领域,具体涉及一种限制KDP类晶体柱面生长的载晶架及其应用,所述载晶架包括上板、支杆和下板,所述上板与下板相对设置,所述支杆用于支撑、连接上板和下板,所述下板内设置一个内凹正四棱台,所述内凹正四棱台...
叶李旺庄欣欣许智煌曹腾飞王远洁
酸度变化对KDP晶体快速生长及其质量的影响
郑国宗李征东苏根博庄欣欣叶李旺张文彬
文献传递
一种含锰的有机-无机杂化材料及其制备方法和应用
本发明公开一种含锰的有机‑无机杂化材料及其制备方法和应用,所述含锰的有机‑无机杂化材料以(C<Sub>6</Sub>H<Sub>15</Sub>ClNO)<Sub>2</Sub>MnBr<Sub>4</Sub>表示,所述...
庄欣欣曹腾飞许智煌叶李旺王远洁李登鹏
共4页<1234>
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