叶李旺
- 作品数：33 被引量：11H指数：1
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术化学工程更多>>
- 一种大尺寸CuI晶体的生长方法
- 本发明提供了一种CuI晶体的生长方法，属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法采用低温水溶液降温法生长晶体，使用NH<Sub>4</Sub>Cl、NH<Sub>4</Sub>Br、NH<Sub>4</Sub>I等为助...
- 庄欣欣吕洋洋叶李旺许智煌苏根博
- 文献传递
- KDP类晶体生长载晶架、KDP类晶体及生长方法
- 本发明公开了一种KDP类晶体生长载晶架、KDP类晶体及生长方法，包括：相对平行设置的上板和下板，形成非封闭空间；两个支撑块，分别设置在上板与下板之间的两端位置处且互相平行，两个支撑块的上端与上板固定连接，下端与下板固定连...
- 叶李旺庄欣欣许智煌王远洁
- 1,3,5-三苯基苯晶体的溶液降温法生长及其性能
- 2017年
- 以丙酮为溶剂,采用溶液降温法生长1,3,5-三苯基苯(TPB)晶体。在40~45℃温区下生长出尺寸为19 mm×15 mm×13 mm的透明块状晶体,生长速率约为3 mm/d。通过X射线衍射、光学显微镜观察、热分析、荧光光谱和脉冲形状鉴别(PSD)测试对晶体进行了表征。结果表明:降温法生长的TPB晶体为正交晶系,空间群为Pna21;TPB单晶各向透明度高,没有宏观缺陷,但在各面上均存在生长花纹。TPB晶体的熔点为174℃,蒸发损失发生在283℃;TPB晶体在360 nm处具有相对尖锐和强的带边发射峰。TPB晶体总品质因数(FOM)值为0.85,表明它具有优异的中子/伽马(n/γ)射线辨别能力。
- 刘刚许智煌叶李旺苏根博庄榕榕
- 关键词：丙酮
- 一种高质量CuI晶体的生长方法
- 本发明提供了一种CuI晶体的生长方法，属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法使用NH<Sub>4</Sub>Cl、NH<Sub>4</Sub>Br、NH<Sub>4</Sub>I等为助溶剂，铜片作为还原剂，生长温区...
- 庄欣欣吕洋洋叶李旺许智煌苏根博
- 文献传递
- 一种六次甲基四胺合锰配合物晶体材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种六次甲基四胺合锰配合物晶体材料及其制备方法和应用，所述晶体材料的化学式为[Mn(C<Sub>6</Sub>H<Sub>12</Sub>N<Sub>4</Sub>)<Sub>2</Sub>(H<Sub>2<...
- 庄欣欣李登鹏许智煌叶李旺
- 文献传递
- K_x(NH_4)_(2-x)Ni(SO_4)_2·6H_2O晶体合成、生长及x值对其结构、性能的影响被引量：1
- 2013年
- 本文以六水合硫酸镍、硫酸钾、硫酸铵为原料合成了硫酸镍钾铵系列(Kx(NH4)2-xNi(SO4)2.6H2O,x=0.4,1,1.6)晶体(简称KANSH),并用水溶液降温生长方法在3 L生长槽内分别生长出"厘米级"尺寸的单晶。根据ICP结果计算出x的数值;通过XRD确定了它们的结构(CCDC No.920443&920444&920445)随x值变化的规律;采用紫外-可见分光光谱仪、热分析仪等测试手段,分析了钾离子含量的变化对紫外特征吸收峰位置及热分解过程的影响;利用荧光光谱仪测试了K1.6(NH4)0.4Ni(SO4)2.6H2O晶体在10～300 K温度区间的紫外-可见吸收光谱。
- 曹有杰许智煌叶李旺苏根博庄欣欣
- 关键词：降温法
- 一种KDP类晶体生长溶液配制装置
- 本实用新型公开了一种KDP类晶体生长溶液配制装置，包括：配制槽组件，包括槽体、槽盖和位于槽盖顶部的进出料口；搅拌组件，设置在槽盖上并向下延伸至槽体内部，对晶体生长溶液搅拌以促进流动、加快溶质溶解进程；螺旋输运组件，包括第...
- 叶李旺庄欣欣许智煌
- 助溶剂NH_4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究被引量：1
- 2014年
- 以碘化铵（NH4I）作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体。在50-60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体。采用XRD、综合热分析（TG/DTA）对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃（γ相→β相）和409℃（β相→α相）。利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70%,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰。霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88 cm^2·V^-1·s^-1。
- 吕洋洋许智煌叶李旺苏根博庄欣欣
- 关键词：碘化亚铜光致发光迁移率
- 一种限制KDP类晶体柱面生长的载晶架及其应用
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种限制KDP类晶体柱面生长的载晶架及其应用，所述载晶架包括上板、支杆和下板，所述上板与下板相对设置，所述支杆用于支撑、连接上板和下板，所述下板内设置一个内凹正四棱台，所述内凹正四棱台...
- 叶李旺庄欣欣许智煌曹腾飞王远洁
- 酸度变化对KDP晶体快速生长及其质量的影响
- 郑国宗李征东苏根博庄欣欣叶李旺张文彬
- 文献传递
