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苏根博

作品数:90 被引量:133H指数:7
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 43篇期刊文章
  • 42篇专利
  • 3篇科技成果
  • 2篇会议论文

领域

  • 37篇理学
  • 15篇电子电信
  • 3篇核科学技术
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 65篇晶体
  • 20篇晶体生长
  • 19篇光学
  • 14篇单晶
  • 13篇生长温度
  • 13篇磷酸
  • 12篇人工晶体
  • 12篇人工晶体材料
  • 12篇晶系
  • 12篇非线性光学
  • 12篇KDP晶体
  • 10篇籽晶
  • 10篇磷酸二氢钾
  • 9篇单斜晶系
  • 9篇硫酸
  • 9篇硫酸镍
  • 9篇降温法
  • 8篇滤波器
  • 8篇功能材料
  • 8篇光学晶体

机构

  • 87篇中国科学院福...
  • 4篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇福建师范大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇国家建材局
  • 1篇闽南师范大学

作者

  • 90篇苏根博
  • 56篇庄欣欣
  • 56篇李征东
  • 53篇贺友平
  • 33篇李国辉
  • 15篇马锦波
  • 13篇叶李旺
  • 12篇江日洪
  • 12篇郑国宗
  • 11篇许智煌
  • 8篇黄炳荣
  • 7篇吴柏昌
  • 6篇吕洋洋
  • 5篇林秀钦
  • 4篇曾金波
  • 4篇史子康
  • 3篇薛丽平
  • 3篇张文彬
  • 2篇胡国行
  • 2篇赵元安

传媒

  • 33篇人工晶体学报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇Chines...
  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇21世纪簇科...
  • 1篇第14届全国...

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 6篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 6篇2007
  • 6篇2006
  • 5篇2005
  • 3篇2004
  • 8篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 9篇1997
  • 1篇1996
90 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
二价阳离子掺入KDP晶体能力的研究被引量:2
2007年
本文旨在寻找影响杂质阳离子进入KDP晶体能力的因素,我们使用分析纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ.cm)为原料,分别加入BaCl2.2H2O,CuCl2.2H2O和MgCl2.6H2O,通过降温方式快速生长出KDP晶体。结果表明,Cu2+及Mg2+在晶体中的含量基本保持不变,不随其在生长溶液中量的增大而增大,Cu2+在晶体中的含量大于Mg2+在晶体中的含量;不同的是,Ba2+在晶体中的含量随着其在生长溶液中量增大而增大。从实验结果我们推断出离子半径和离子水合热是影响二价杂质阳离子在水溶液晶体生长过程中进入KDP晶体能力的重要因素。
张文彬郑国宗苏根博庄欣欣李征东
关键词:KDP晶体离子半径水合热
助溶剂NH_4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究被引量:1
2014年
以碘化铵(NH4I)作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体。在50-60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体。采用XRD、综合热分析(TG/DTA)对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃(γ相→β相)和409℃(β相→α相)。利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70%,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰。霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88 cm^2·V^-1·s^-1。
吕洋洋许智煌叶李旺苏根博庄欣欣
关键词:碘化亚铜光致发光迁移率
一种测量磷酸二氘钾单晶氘化率的方法
一种测量磷酸二氘钾单晶氘化率的方法,涉及磷酸二氘钾(K(D<Sub>X</Sub>H<Sub>1-X</Sub>)<Sub>2</Sub>PO<Sub>4</Sub>单晶体的氘化率的简易测量方法。采用NETZSCH ST...
李国辉苏根博庄欣欣李征东贺友平
文献传递
一种测量磷酸二氘钾单晶氘化率的方法
一种测量磷酸二氘钾单晶氘化率的方法,涉及磷酸二氘钾(K(D<Sub>X</Sub>H<Sub>1-X</Sub>)<Sub> 2</Sub>PO<Sub>4</Sub>单晶体的氘化率的简易测量方法。采用NETZSCH S...
李国辉苏根博庄欣欣李征东贺友平
文献传递
溶液连续过滤快速生长KDP晶体及其品质分析被引量:6
2010年
设计溶液实时连续过滤装置用于降温法快速生长KDP晶体。采用高亮度激光照射分析对比晶体内部的散射点密度,以同步辐射为光源的X射线形貌成像技术探测晶体内部的生长缺陷,并测定晶体三倍频激光(355nm)的损伤阈值。实验结果显示,溶液连续过滤法生长的KDP晶体中包裹体和位错的密度明显降低,晶体的激光损伤阈值提高了30%。
汪剑成苏根博郑国宗李国辉邹宇琦赵元安胡国行黄万霞庄欣欣
关键词:KDP晶体位错激光损伤阈值
KDP晶体的杂质与光学性能分析被引量:9
2001年
测量常规方法与快速方法生长的非线性光学 KDP晶体紫外及近红外波段透射光谱性能 ,并测定了晶体不同生长区域杂质的含量 ,通过对实验结果的分析比较讨论了影响晶体紫外透过性能的因素 ;采用多脉冲平均方式测量了不同方法生长的晶体在 1 0 64 nm及 53 2 nm皮秒激光脉冲作用下的晶体损伤阈值 ,晶体的体吸收系数与晶体抗损伤能力的对应关系表明晶体内部的杂质与缺陷存在着明显的光吸收 ,从而降低了晶体对高能量脉冲的负载能力。
庄欣欣谭奇光林翔苏根博李征东
关键词:KDP晶体紫外光谱损伤阈值ICF晶体生长
一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法
本发明涉及一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法。该方法包括如下步骤:在籽晶成锥时,初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥,控制降温速率为0.05℃/天;籽晶闭锥后,采用分阶段降温模式,晶体闭锥至50℃,保持降温...
李国辉李征东苏根博贺友平林秀钦庄欣欣
文献传递
4-氨基二苯甲酮(ABP)的半导体倍频性能研究被引量:1
1997年
从有机溶剂中生长4氨基二苯甲酮(ABP)晶体。采用X射线衍射方法分析了晶体结构;测定了三个主轴方向的折射率;确定了几个有效非线性系数;
李征东苏根博吴柏昌
关键词:非线性光学半导体激光晶体生长激光光源
有机紫外滤波材料的紫外光谱性质研究被引量:8
2009年
通过缩合反应合成了一种有机紫外滤波染料-2,7二甲基-3,6-偶氮环庚-1,6-二烯高氯酸盐,并采用元素分析、红外光谱、紫外光谱等手段对其进行表征,着重讨论了不同浓度的染料溶液和染料掺杂的聚乙烯醇(PVA)薄膜的紫外光谱性质。实验表明,当染料浓度较低时,溶液的最大吸收波长为322 nm,薄膜的最大吸收波长为325 nm。随着染料浓度的增加,溶液和PVA膜紫外截止通带宽度加宽,表现为285~345 nm区间为强吸收带,而在日盲紫外波段(240~285 nm)保持较高的透过率。利用染料溶液和染料掺杂的PVA膜的这种光谱特性,制作出日盲紫外滤波器。
许智煌庄欣欣苏根博
关键词:光学材料紫外光谱染料
一种新型荧光晶体材料磺基水杨酸铵及其制备与用途
本发明提供了一种新型荧光晶体材料磺基水杨酸铵,属于光学与人工晶体材料领域,该晶体分子式为C<Sub>7</Sub>H<Sub>11</Sub>NO<Sub>7</Sub>S,分子量为253.23,属单斜晶系,空间群为P2...
庄欣欣吕洋洋叶李旺许智煌苏根博
文献传递
共9页<123456789>
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