许智煌
- 作品数：30 被引量：10H指数：1
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>
- 一种六次甲基四胺合锰配合物晶体材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种六次甲基四胺合锰配合物晶体材料及其制备方法和应用，所述晶体材料的化学式为[Mn(C<Sub>6</Sub>H<Sub>12</Sub>N<Sub>4</Sub>)<Sub>2</Sub>(H<Sub>2<...
- 庄欣欣李登鹏许智煌叶李旺
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- 一种利用尿素调控五水硫酸铜晶体生长形貌的方法
- 本发明公开了一种利用尿素调控五水硫酸铜晶体生长形貌的方法，包括配制含硫酸铜和尿素的混合溶液，蒸发结晶，通过调控所述尿素与五水硫酸铜晶体的质量比从而得到不同形貌的斜六棱柱五水硫酸铜晶体。本发明以尿素为添加剂，通过控制尿素与...
- 庄欣欣郑石贵叶李旺许智煌
- 文献传递
- 有机紫外滤波材料的紫外光谱性质研究被引量：8
- 2009年
- 通过缩合反应合成了一种有机紫外滤波染料-2,7二甲基-3,6-偶氮环庚-1,6-二烯高氯酸盐,并采用元素分析、红外光谱、紫外光谱等手段对其进行表征,着重讨论了不同浓度的染料溶液和染料掺杂的聚乙烯醇(PVA)薄膜的紫外光谱性质。实验表明,当染料浓度较低时,溶液的最大吸收波长为322 nm,薄膜的最大吸收波长为325 nm。随着染料浓度的增加,溶液和PVA膜紫外截止通带宽度加宽,表现为285～345 nm区间为强吸收带,而在日盲紫外波段(240～285 nm)保持较高的透过率。利用染料溶液和染料掺杂的PVA膜的这种光谱特性,制作出日盲紫外滤波器。
- 许智煌庄欣欣苏根博
- 关键词：光学材料紫外光谱染料
- 一种新型荧光晶体材料磺基水杨酸铵及其制备与用途
- 本发明提供了一种新型荧光晶体材料磺基水杨酸铵，属于光学与人工晶体材料领域，该晶体分子式为C<Sub>7</Sub>H<Sub>11</Sub>NO<Sub>7</Sub>S,分子量为253.23，属单斜晶系，空间群为P2...
- 庄欣欣吕洋洋叶李旺许智煌苏根博
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- Ni(C_6H_(12)N_4)_2SO_4·4H_2O晶体的生长、热学和光谱性质
- 2015年
- 六次甲基四胺（C6H12N4,HMTA）部分取代六水合硫酸镍（NSH）晶体结构中的配位水,合成Ni（C6H12N4）2SO4·4H2O（NSH-HMTA）晶体材料。采用称量法测定了NSH-HMTA晶体的溶解度曲线,应用水溶液降温法在温度区间56~44℃之间生长出6 mm×6 mm×2 mm尺寸的晶体,生长速度约为0.5 mm/d。通过等离子发射光谱分析所生长晶体中镍离子含量,X射线单晶衍射用于验证晶体的结构。采用热重法（TGA）和差热分析法（DTA）测定晶体脱水温度和分解温度分别为93℃、114℃。测量晶体的紫外-可见光谱特性,其紫外波段透过峰位于波长为307 nm处,比NSH晶体（287 nm）红移了约20 nm,HMTA与Ni2＋配位提高了Ni2＋的3A2g光谱项的能级,3A2g→3T1g（P）所需能量更低,导致吸收谱红移。
- 高晟民许智煌叶李旺苏根博庄欣欣
- 关键词：降温法光谱性质
- 一种KDP类晶体生长溶液配制装置
- 本实用新型公开了一种KDP类晶体生长溶液配制装置，包括：配制槽组件，包括槽体、槽盖和位于槽盖顶部的进出料口；搅拌组件，设置在槽盖上并向下延伸至槽体内部，对晶体生长溶液搅拌以促进流动、加快溶质溶解进程；螺旋输运组件，包括第...
- 叶李旺庄欣欣许智煌
- 助溶剂NH_4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究被引量：1
- 2014年
- 以碘化铵（NH4I）作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体。在50-60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体。采用XRD、综合热分析（TG/DTA）对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃（γ相→β相）和409℃（β相→α相）。利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70%,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰。霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88 cm^2·V^-1·s^-1。
- 吕洋洋许智煌叶李旺苏根博庄欣欣
- 关键词：碘化亚铜光致发光迁移率
- 一种限制KDP类晶体柱面生长的载晶架及其应用
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种限制KDP类晶体柱面生长的载晶架及其应用，所述载晶架包括上板、支杆和下板，所述上板与下板相对设置，所述支杆用于支撑、连接上板和下板，所述下板内设置一个内凹正四棱台，所述内凹正四棱台...
- 叶李旺庄欣欣许智煌曹腾飞王远洁
- 一种含锰的有机-无机杂化材料及其制备方法和应用
- 本发明公开一种含锰的有机‑无机杂化材料及其制备方法和应用，所述含锰的有机‑无机杂化材料以(C<Sub>6</Sub>H<Sub>15</Sub>ClNO)<Sub>2</Sub>MnBr<Sub>4</Sub>表示，所述...
- 庄欣欣曹腾飞许智煌叶李旺王远洁李登鹏
- 一种载晶架及其在限制KDP类晶体相邻柱面生长中的应用
- 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种载晶架及其在限制KDP类晶体相邻柱面生长中的应用，载晶架包括上板、支板和下板，所述上板与下板相对设置，所述支板用于支撑、连接上板和下板，所述下板呈“V”形结构，所述“V”形结构的开口面...
- 叶李旺庄欣欣许智煌曹腾飞王远洁
