刘光诒
- 作品数：31 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自然科学总论更多>>
- 制造大面积超长钨发射体阵列W－UFEA的光电子学方法被引量：2
- 1994年
- 本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控（或门控）超长金属杆状阵列场发射阴极ＵＦＥＡ（Ｕｌｔｒａ－ＬｏｎｇＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＡｒｒａｙ）的初步实验结果。
- 刘光诒朱世棋吕庆年金能文王德安刘金声
- 关键词：光电子学
- 一种用于光—电能量转换材料的谐振式量子阱阶模型
- ＜正＞ 多年来相继发现的各类功能性结构薄膜不仅已大量用于不同频段的电磁振荡检测、信号合成,组成了各类敏感器件,也发展了完善的能带模型与能级跃迁理论,成为近代固体与真空器件的基础。80年代后期,在科技迅猛发展、观念不断飞跃...
- 刘光诒董彬康昕都世民陈麟美陈芸允
- 文献传递
- 真空微电子平板摄像管（VME-FPC）靶材的改进
- 研制一种适用于真空微电子平板摄像管（VME-FPC）的高灵敏度的CdSe多层光导靶材，改建了一台兼有氧化与再结晶双重功能的炉子，发展了新的由真空预热处理（VHPT）与非真空热后处理（NHAT）二种工艺组成的热处理工艺，采...
- 吕永积刘光诒富军刘洪志何映霞朱敏慧
- 真空微电子三极管中电子渡越时间的近似计算方法
- 采用不同的近似计算方法，对真空微电子三极管中阴极尖端电场强度分布及电子渡越时间进行了研究、分析和比较，找出了几种电子渡越时间近似计算方法的共同点，统一了电子渡越时间的计算公式，画出了供计算用的有关曲线。
- 陈博贤刘光诒苏杰朱敏慧夏善红
- 关键词：修正系数等效法真空微电子三极管
- TFFEC冷阴极专用全固态数字脉冲功率源
- 1992年
- 本文介绍一种用来测试薄膜场致电子发射冷阴极（TFFEC）发射性能的专用数字式全固态脉冲功率源.介绍这种便携式长脉冲装置的工作原理、各部分电路设计计算方法、特点及整机性能指标.该脉冲电源的出现,使TFFEC在达到同样尖锥表面电场强度下,可能出现的门极功耗降低三个数量级.
- 范树勋刘光诒康健莉冉启欢
- 关键词：冷阴极长脉冲脉冲电源
- 全玻璃平板型真空荧光光源的工艺探讨被引量：4
- 2001年
- 提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（ＶＦＬＳ）管，与国际上传统的真空荧光光源管比较，新的器件在大面积碳场发射阴极，厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发，分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程，详细介绍了研制ＶＦＬＳ管的制造工艺，并讨论了此工作目前存在的问题及前景。
- 刘光诒夏善红吕永积陈绍凤李宏彦罗运良王建英
- 关键词：真空微电子学
- 平面平行真空微电子二极管中电子渡越时间的计算关系式
- 2014年
- 本文借助于泊松(Poisson)方程,分析了平面平行真空微电子二极管(P-VMD)中空间电荷对管内电位分布的影响,利用电子渡越时间的定义式,推导出了平面P-VMD在考虑空间电荷和忽略电荷空间电荷影响时的电子渡越时间的计算关系式,并验证了此关系式的正确性。最后举例说明了此关系式的应用。
- 陈博贤夏善红李宏彦刘光诒丁跃根
- 关键词：空间电荷
- 全玻璃封离真空平板光电子器件中ITO电极的构建
- 本文报道了二十世纪九十年代初，在—些特殊结构的真空微电子平板光电子器件中，构筑与设计透明导电氧化物电极的方法。主要围绕—种采用透明导电钢锡氧化物TCO-ITO阳极的全玻璃封离真空平板荧光光源FP-VFLS管。介绍能大大减...
- 李宏彦刘光诒夏善红张建钢吕永积丁耀根庄卫东
- 关键词：显示器件铟锡氧化物
- 文献传递
- 平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式被引量：3
- 2001年
- 从泊松（Ｐｏｉｓｓｏｎ）方程出发，推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。
- 陈博贤刘光诒夏善红吕永积倪建新
- 关键词：真空电子器件
- 在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响被引量：3
- 2002年
- CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料 ,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。
- 吕永积邵佑军刘光诒施化芬罗运良
- 关键词：真空微电子晶格结构
