吕永积
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：广播科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 全玻璃平板型真空荧光光源的工艺探讨被引量：4
- 2001年
- 提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（ＶＦＬＳ）管，与国际上传统的真空荧光光源管比较，新的器件在大面积碳场发射阴极，厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发，分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程，详细介绍了研制ＶＦＬＳ管的制造工艺，并讨论了此工作目前存在的问题及前景。
- 刘光诒夏善红吕永积陈绍凤李宏彦罗运良王建英
- 关键词：真空微电子学
- 真空微电子平板摄像管10×10像素驱动电路的设计与制作
- 2002年
- 真空微电子平板摄像是一种全新的摄像理论,它采用碳纳米场发射阴极、栅极和阳极(收集极)三极管结构。介绍了真空微电子平板摄像管驱动电路的设计要求、设计思路和电路测试结果,实验中采用的栅极驱动对驱动电路(扫描电路)起到了关键作用。
- 蔡东山吕永积邵佑军黄庆云
- 关键词：驱动电路场频行频场同步行同步
- 试验用10×10寻址式碳纳米管平板显示器工艺初探
- 作者研究基于碳纳米管阴极的平板显示器件技术,对于促进我国平板显示器研制技术迈上商业化开发具有的重大意义,并对其工艺进行了探讨.
- 吕永积邵佑军陈绍凤冯涛蔡东山李琼柳襄怀刘光诒夏善红吴桔生
- 关键词：平板显示器碳纳米管场致发射
- 文献传递
- 全玻璃封离真空平板光电子器件中ITO电极的构建
- 本文报道了二十世纪九十年代初，在—些特殊结构的真空微电子平板光电子器件中，构筑与设计透明导电氧化物电极的方法。主要围绕—种采用透明导电钢锡氧化物TCO-ITO阳极的全玻璃封离真空平板荧光光源FP-VFLS管。介绍能大大减...
- 李宏彦刘光诒夏善红张建钢吕永积丁耀根庄卫东
- 关键词：显示器件铟锡氧化物
- 文献传递
- 在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响被引量：3
- 2002年
- CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料 ,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。
- 吕永积邵佑军刘光诒施化芬罗运良
- 关键词：真空微电子晶格结构
- 碳场电子发射体的应用研究
- 近年来随着真空微纳电子学 VMNE(Vacuum Micro-Nanoelectronics)与碳纳米管薄膜 CNT(Carbon Nanometer Tube)技术的高速发展,涌现出不同形态的碳纳米管 CNT 薄膜与各...
- 刘光诒李宏彦夏善红吕永积王建英吕庆年王德安丁耀根
- 文献传递
- 真空微电子平板摄像管（VME-FPC）靶材的改进
- 研制一种适用于真空微电子平板摄像管（VME-FPC）的高灵敏度的CdSe多层光导靶材，改建了一台兼有氧化与再结晶双重功能的炉子，发展了新的由真空预热处理（VHPT）与非真空热后处理（NHAT）二种工艺组成的热处理工艺，采...
- 吕永积刘光诒富军刘洪志何映霞朱敏慧
- 碳场电子发射体的应用研究被引量：1
- 2008年
- 本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。
- 刘光诒李宏彦夏善红吕永积王建英吕庆年王德安丁耀根
- 平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用被引量：1
- 2006年
- 在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P-VMD)二极管中电流-电压近似按二分之三次方关系式工作。本文在此关系式及Forler-Nordheim场发射方程的基础上[2],通过解简化立方方程,进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数。P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变,并工作在典型工作状态(归一化电位系数p=2/3)情况下,考虑空间电荷影响时的阳极电压、阳极电场强度和阳极电子速度分别比无空间电荷影响时增加约50.00%,73.21%和22.47%。P-VMD二极管内的空间电荷密度分布函数为正割函数,在阳极表面附近为最小,在阴极表面处为无穷大,这是由于本文假设在阴极表面处的电子初速度为零的缘故。
- 陈博贤刘光诒夏善红丁耀根李宏彦杨久霞吕永积
- 关键词：空间电荷
