吕庆年
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 复铼膜阴极的发射和表面特性被引量：2
- 1990年
- 本文报道了复铼膜扩散阴极的发射和表面特性的研究结果,并与S-型阴极进行了比较。实验结果表明:S-型阴极复铼膜后,其热电子发射明显提高,且分布均匀。月极表面上主要元素的俄歇像显示Ba在复铼膜阴极表面上的分布要比在S-型阴极表面上均匀得多,Ba的低能Auger谱和XPS的研究表明:与S-型阴极相比Ba在复铼膜阴极表面上呈现更强的金属特性。这可能是S-型阴极复铼膜后发射增大的主要原因。
- 张洪来由玉新程永吉王亚杰吕庆年
- 关键词：热阴极热电子发射
- 制造大面积超长钨发射体阵列W－UFEA的光电子学方法被引量：2
- 1994年
- 本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控（或门控）超长金属杆状阵列场发射阴极ＵＦＥＡ（Ｕｌｔｒａ－ＬｏｎｇＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＡｒｒａｙ）的初步实验结果。
- 刘光诒朱世棋吕庆年金能文王德安刘金声
- 关键词：光电子学
- 一种新型飞秒二极管组件中的电子过程
- 刘光诒吕庆年
- 关键词：微加工技术二极管
- 碳场电子发射体的应用研究被引量：1
- 2008年
- 本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。
- 刘光诒李宏彦夏善红吕永积王建英吕庆年王德安丁耀根
